WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018079227) RECTIFYING METHOD AND RECTIFYING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/079227 International Application No.: PCT/JP2017/036394
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 05.10.2017
IPC:
H02M 7/12 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION[JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101, JP
Inventors: SAKAMOTO Toshiro; JP
MORIZUMI Masahiro; JP
Agent: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Priority Data:
2016-21391531.10.2016JP
Title (EN) RECTIFYING METHOD AND RECTIFYING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE REDRESSEMENT
(JA) 整流方法及び整流装置
Abstract: front page image
(EN) This rectifying device 100 is provided with: at least one MOSFET (PMOSFET 20) in which a gate terminal 26a, a drain terminal 25a, and a well terminal 23a are connected to each other; an alternating current signal generation source 80 which generates an alternating current signal so that the at least one MOSFET operates in a voltage region including a weak inversion region, and which supplies the alternating current signal to a source terminal 24a of the MOSFET; and a capacitor element C connected to the drain terminal 25a of the MOSFET. The MOSFET, which operates even in the weak inversion region by short-circuiting the gate, the drain, and the well, is used as a rectifying element, thereby configuring a rectifying device in which loss due to rectifying and leakage current are reduced, and which, in energy harvesting technology for collecting very weak energy, has a desirably high efficiency, exhibits a low leakage current, and is compatible with high frequencies.
(FR) L'invention concerne un dispositif de redressement 100 pourvu : d'au moins un MOSFET (PMOSFET 20) dans lequel une borne de grille 26a, une borne de drain 25a et une borne de puits 23a sont connectées les unes aux autres; d'une source de génération de signal de courant alternatif 80 qui génère un signal de courant alternatif de sorte que ledit MOSFET fonctionne dans une région de tension comprenant une région d'inversion faible, et qui applique le signal de courant alternatif à une borne de source 24a du MOSFET; et d'un élément condensateur C connecté à la borne de drain 25a du MOSFET. Le MOSFET, qui fonctionne même dans la région d'inversion faible par court-circuitage de la grille, du drain et du puits, sert d'élément de redressement, ce qui permet de concevoir un dispositif de redressement dans lequel sont réduites les pertes dues à un redressement et à un courant de fuite et qui, selon une technologie de collecte d'énergie permettant de collecter une énergie très faible, offre un rendement idéalement élevé, a un faible courant de fuite, et est compatible avec des hautes fréquences.
(JA) 整流装置100は、ゲート端子26a、ドレイン端子25a、及びウェル端子23aが互いに接続されている少なくとも1つのMOSFET(PMOSFET20)、少なくとも1つのMOSFETが弱反転領域を含む電圧領域で動作する交流信号を発生し、これをMOSFETのソース端子24aに供給する交流信号発生源80、及びMOSFETのドレイン端子25aに接続される容量素子Cを備える。整流素子として、ゲート、ドレイン、及びウェルをショートすることで弱反転領域でも駆動するMOSFETを使用することにより、整流による損失が小さく且つリーク電流が小さく、微弱なエネルギーを収集するエネルギーハーベスティング技術において好適な高効率、低リーク電流、且つ高周波対応可能な整流装置を構成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)