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1. (WO2018077957) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
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Pub. No.: WO/2018/077957 International Application No.: PCT/EP2017/077326
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 25.10.2017
IPC:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: OTTO, Isabel; DE
PFEUFFER, Alexander F.; DE
GÖÖTZ, Britta; DE
VON MALM, Norwin; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2016 220 915.925.10.2016DE
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Abstract: front page image
(EN) In one embodiment, the method is configured for producing optoelectronic semiconductor components (1) and comprises the following steps: providing a primary light source (2) having a substrate (21) and a semi-conductor layer sequence (22) applied thereon for generating primary light (B), wherein the semiconductor layer sequence (22) is structured in a plurality of pixels (24) that can be controlled electrically independently from one another and the substrate (21) has a plurality of control units (23) for controlling the pixels (24); providing a conversion unit (3, 4) which is configured to convert the primary light (B) into secondary light (G, R), wherein the conversion unit (3, 4) is grown as a continuum from a semiconductor material (31, 41); structuring the conversion unit (3, 4), wherein sub-areas of the semiconductor material (31, 41) are removed according to the pixels (24); and applying the conversion unit (3, 4) to the semiconductor layer sequence (22) such that the remaining semiconductor material (31, 41) is clearly assigned to a portion of the pixels (24).
(FR) Dans un mode de réalisation, le procédé est destiné à permettre la fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1) et comprend les étapes suivantes : disposer d'une première source de lumière primaire (2) avec un support (21) et une succession de couches semi-conductrices (22) appliquée(s) dessus pour produire une lumière primaire (B), la succession de couches semi-conductrices (22) est structurée en une pluralité de points d'image (24) pouvant être commandés électriquement indépendamment les uns des autres et le support (21) présente une pluralité d'unités de commande (23) pour commander les points d'image (24), disposer d'une unité de conversion (3, 4) qui est conçue de manière à convertir la lumière primaire (B) en lumière secondaire (G, R), l'unité de conversion (3, 4) est obtenue par croissance de manière continue à partir d'un matériau semi-conducteur (31, 41), structurer l'unité de conversion (3, 4), des régions partielles du matériau semi-conducteur (31, 41) étant enlevées conformément aux points d'image (24) et appliquer l'unité de conversion (3, 4) sur la succession de couches semi-conductrice (22), de sorte que le matériau semi-conducteur (31, 41) résiduel est associé de manière univoque à une partie des points d'image.
(DE) In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von AnSteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird, - Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, und - Aufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)