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1. (WO2018077831) PROCESS FOR FABRICATING A HETEROSTRUCTURE COMPRISING A CONDUCTIVE STRUCTURE AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND INCLUDING A STEP OF ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING
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Pub. No.: WO/2018/077831 International Application No.: PCT/EP2017/077069
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 24.10.2017
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/306][IPC code unknown for H01L 31/18]
Applicants:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc - Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS, FR
Inventors:
LETOWSKI, Bastien; FR
WIDIEZ, Julie; FR
Agent:
ESSELIN, Sophie; FR
LUCAS, Laurent; FR
Priority Data:
166036826.10.2016FR
Title (EN) PROCESS FOR FABRICATING A HETEROSTRUCTURE COMPRISING A CONDUCTIVE STRUCTURE AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND INCLUDING A STEP OF ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE HETEROSTRUCTURE COMPRENANT UNE STRUCTURE CONDUCTRICE ET UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET COMPORTANT UNE ETAPE DE DECOUPE PAR ELECTRO-EROSION
Abstract:
(EN) The subject of the invention is a process for fabricating at least one elementary heterostructure comprising: producing a heterostructure including at least one semiconductor structure of resistivity higher than or equal to 1 Ω.cm, said structure being located between two electrically conductive structures of resistivity lower than or equal to 0.1 Ω.cm; and cutting said heterostructure by electrical discharge machining so as to define at least said elementary heterostructure; the thickness of the semiconductor structure being smaller than about 1/10th of the thickness of at least one of said electrically conductive structures or of the total thickness of said electrically conductive structures.
(FR) L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'au moins une hétérostructure élémentaire comprenant : - la réalisation d'une hétérostructure comportant au moins une structure semi-conductrice de résistivité supérieure ou égale à 1 Ω.cm située entre deux structures conductrices électriques de résistivité inférieure ou égale à 0,1 Ω.cm; - la découpe par électro-érosion de ladite hétérostructure de manière à définir au moins ladite hétérostructure élémentaire; - l'épaisseur de la structure semi-conductrice étant inférieure à environ 1 /10ième de l'épaisseur d'au moins une desdites structures conductrices électriques ou de l'épaisseur totale desdites structures conductrices électriques.
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Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)