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1. (WO2018077684) PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN SILICON-CONTAINING FILMS
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Pub. No.: WO/2018/077684 International Application No.: PCT/EP2017/076556
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 18.10.2017
IPC:
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/32 (2006.01)
Applicants: BASF SE[DE/DE]; Carl-Bosch-Strasse 38 67056 Ludwigshafen am Rhein, DE
Inventors: AHLF, Maraike; DE
SCHWEINFURTH, David Dominique; DE
MAYR, Lukas; DE
LESZCZYNSKA, Kinga Izabela; DE
SCHESCHKEWITZ, David; DE
Agent: BASF IP ASSOCIATION; BASF SE G-FLP - C006 67056 Ludwigshafen, DE
Priority Data:
16195487.025.10.2016EP
Title (EN) PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN SILICON-CONTAINING FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN) The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. In particular, the present invention relates to a process comprising depositing the compound of general formula (I) onto a solid substrate, wherein R1, R2, R3, R4, and R5 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, wherein not more than three of R1, R2, R3, R4, and R5 are hydrogen, X is a group which binds to silicon, m is 1 or 2, n is 0, 1, or 2, and Si is in the oxidation state +2.
(FR) La présente invention concerne le domaine des procédés de génération de couches minces inorganiques sur des substrats. En particulier, l'invention concerne un procédé comprenant le dépôt du composé de formule générale (I) sur un substrat solide, où R1, R2, R3, R4, et R5 sont de l'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe aryle ou un groupe silyle, un nombre inférieur à trois de R1, R2, R3, R4, et R5 sont de l'hydrogène, X est un groupe qui se lie au silicium, m est égal à 1 ou 2, n est égal à 0, 1 ou 2, et Si est dans l'état d'oxydation +2.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)