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1. (WO2018077650) CHANGING A SWITCHING STATE OF A SWITCHING HALF-BRIDGE
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Pub. No.:    WO/2018/077650    International Application No.:    PCT/EP2017/076335
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 16.10.2017
IPC:
H02M 1/38 (2007.01), H03K 17/06 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München (DE)
Inventors: MÄRZ, Andreas; (DE).
BAKRAN, Mark-Matthias; (DE)
Priority Data:
16196035.6 27.10.2016 EP
Title (DE) ÄNDERN EINES SCHALTZUSTANDS EINER SCHALT-HALBBRÜCKE
(EN) CHANGING A SWITCHING STATE OF A SWITCHING HALF-BRIDGE
(FR) MODIFICATION D'UN ÉTAT DE COMMUTATION D'UN DEMI-PONT DE COMMUTATION
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ändern eines Schaltzustands einer Schalt-Halbbrücke (1), die zwei Feldeffektransistoren (5, 7) aufweist, von einem ersten Schaltzustand, in dem eine Gate-Source-Spannung (UGS1) eines ersten Feldeffekttransistors (5) ein Einschaltniveau (Uon) annimmt und eine Gate-Source-Spannung (UGS2) des zweiten Feldeffekttransistors (7) ein erstes Abschaltniveau (Uoff1) annimmt, zu einem zweiten Schaltzustand, in dem die Gate-Source-Spannung (UGS1) des ersten Feldeffekttransistors (5) das erste Abschaltniveau (Uoff1) annimmt und die Gate-Source-Spannung (UGS2) des zweiten Feldeffekttransistors (7) das Einschaltniveau (Uon) annimmt. Dabei wird zunächst die Gate-Source-Spannung (UGS1) des ersten Feldeffekttransistors (5) von dem Einschaltniveau (Uon) auf ein zweites Abschaltniveau (Uoff2), dessen Betrag größer als der Betrag des ersten Abschaltniveaus (Uoff1) ist, geändert. Dann wird die Gate-Source-Spannung (UGS2) des zweiten Feldeffekttransistors (7) von dem ersten Abschaltniveau (Uoff1) auf das Einschaltniveau (Uon) geändert. Danach wird die Gate-Source-Spannung (UGS1) des ersten Feldeffekttransistors (5) von dem zweiten Abschaltniveau (Uoff2) auf das erste Abschaltniveau (Uoff1) geändert.
(EN)The invention relates to a method for changing a switching state of a switching half-bridge (1), which has two field-effect transistors (5, 7), from a first switching state, in which a gate-source voltage (UGS1) of a first field-effect transistor (5) assumes a switch-on level (Uon) and a gate-source voltage (UGS2) of the second field-effect transistor (7) assumes a first switch-off level (Uoff1), to a second switching state, in which the gate-source voltage (UGS1) of the first field-effect transistor (5) assumes the first switch-off level (Uoff1) and the gate-source voltage (UGS2) of the second field-effect transistor (7) assumes the switch-on level (Uon). First, the gate-source voltage (UGS1) of the first field-effect transistor (5) is changed from the switch-on level (Uon) to a second switch-off level (Uoff2), the magnitude of which is greater than the magnitude of the first switch-off level (Uoff1). Then, the gate-source voltage (UGS2) of the second field-effect transistor (7) is changed from the first switch-off level (Uoff1) to the switch-on level (Uon). Thereafter, the gate-source voltage (UGS1) of the first field-effect transistor (5) is changed from the second switch-off level (Uoff2) to the first switch-off level (Uoff1).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de modifier un état de commutation d'un demi-pont de commutation (1) qui comprend deux transistors à effet de champ (5, 7), d'un premier état de commutation dans lequel une tension grille-source (UGS1) d'un premier transistor à effet de champ (5) adopte un niveau d'enclenchement (Uon) et une tension grille-source (UGS2) du deuxième transistor à effet de champ (7) adopte un premier niveau de coupure (Uoff1), à un deuxième état de commutation dans lequel la tension grille-source (UGS1) du premier transistor à effet de champ (5) adopte le premier niveau de coupure (Uoff1) et la tension grille-source (UGS2) du deuxième transistor à effet de champ (7) adopte le niveau d'enclenchement (Uon). Tout d'abord, la tension grille-source (UGS1) du premier transistor à effet de champ (5) est modifiée du niveau d'enclenchement (Uon) à un deuxième niveau de coupure (Uoff2) dont la valeur absolue est supérieure à la valeur absolue du premier niveau de coupure (Uoff1). Ensuite, la tension grille-source (UGS2) du deuxième transistor à effet de champ (7) est modifiée du premier niveau de coupure (Uoff1) au niveau d'enclenchement (Uon). Puis la tension grille-source (UGS1) du premier transistor à effet de champ (5) est modifiée du deuxième niveau de coupure (Uoff2) au premier niveau de coupure (Uoff1).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)