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1. (WO2018077594) METHOD FOR THE MICROLITHOGRAPHIC PRODUCTION OF MICROSTRUCTURED COMPONENTS
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Pub. No.:    WO/2018/077594    International Application No.:    PCT/EP2017/075490
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 06.10.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
PATRA, Michael [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: PATRA, Michael; (DE)
Agent: FRANK, Hartmut; (DE)
Priority Data:
10 2016 221 261.3 28.10.2016 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR MIKROLITHOGRAPHISCHEN HERSTELLUNG MIKROSTRUKTURIERTER BAUELEMENTE
(EN) METHOD FOR THE MICROLITHOGRAPHIC PRODUCTION OF MICROSTRUCTURED COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION MICROLITHOGRAPHIQUE DE COMPOSANTS MICROSTRUCTURÉS
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Wafers, auf den zumindest teilweise ein Photoresist aufgebracht ist, Bereitstellen einer Maske, die abzubildende Strukturen aufweist, Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, Belichten des Photoresists durch Projizieren wenigstens eines Teils der Maske auf einen Bereich des Photoresists mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage, Ermitteln einer Abweichung wenigstens einer Struktureigenschaft der auf dem belichteten Wafer erzeugten Strukturen von einer vorgegebenen Soll-Struktureigenschaft, wobei dieses Ermitteln durch Bestimmen wenigstens einer Eigenschaft eines Lichtfeldes, welches zur Belichtung des auf den Wafer aufgebrachten Photoresists verwendet wird, erfolgt, Nachbehandeln des Wafers auf Basis der ermittelten Abweichung, und chemisches Entwickeln des nachbehandelten Wafers.
(EN)The present invention relates to a method for the microlithographic production of microstructured components. A method according to the invention has the following steps: providing a wafer, to at least some of which a photoresist is applied; providing a mask which has the structures to be reproduced; providing a projection exposure system which has a lighting device and a projection lens; exposing the photoresist by projecting at least some of the mask onto a region of the photoresist using the projection exposure system; establishing a deviation at least of one structural property of the structures produced on the exposed wafer from a predefined target structural property, this establishing step taking place by determining at least one property of a light field used to expose the photoresist applied to the wafer; post-treating the wafer on the basis of the established deviation; and chemically developing the post-treated wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de produire de manière microlithographique des composants microstructurés. Le procédé selon l'invention comprend les étapes suivantes : disposer d'une tranche sur laquelle est appliqué au moins en partie un photorésist, disposer d'un masque qui présente des structures à reproduire, disposer d'une installation d'éclairage par projection qui comporte un dispositif d'éclairage et un objectif de projection, exposer le photorésist par projection d'au moins une partie du masque sur une zone du photorésist au moyen de l'installation d'éclairage par projection, déterminer un écart d'au moins une propriété structurale des structures produites sur la tranche exposée, par rapport à une propriété structurale de consigne prédéfinie, cette détermination s'effectue par détermination d'au moins une propriété d'un champ lumineux qui est utilisé pour exposer le photorésist appliqué sur la tranche, traitement ultérieur de la tranche sur la base de l'écart déterminé et développement chimique de la tranche ayant subi le traitement ultérieur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)