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Pub. No.:    WO/2018/076902    International Application No.:    PCT/CN2017/097849
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 17.08.2017
C30B 33/02 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: FUJIAN JING' AN OPTOELECTRONICS CO., LTD [CN/CN]; LIN, Liping Hutou Town Photoelectric Industrial Park, Anxi County Quanzhou, Fujian 362411 (CN)
Inventors: HSIEH, Pin-Hui; (CN).
HU, Zhongwei; (CN).
LIN, Wu-Ching; (CN).
LAI, Po-Fan; (CN).
LIAO, Guifen; (CN)
Priority Data:
201610928820.6 31.10.2016 CN
(ZH) 晶棒的制作方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a crystal bar production method comprising putting a crystal bar that has gone through a bar-taking process into a high-temperature annealing furnace for annealing before wire cutting, the annealing process mainly including: a temperature increasing process, a thermostatic process, and a temperature lowering process. By unified annealing crystal bars produced under different techniques of crystal growing and bar-taking to eliminate residual stress within the crystal bar to improve consistency of the sapphire crystal bar material to improve good yield and uniformity in the latter process of wafer processing and extension.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’une barre de cristal comprenant la mise en place d’une barre de cristal qui a subit un procédé de préhension d’une barre dans un four de recuit à haute température pour le recuit avant la découpe au fil, le procédé de recuit comprenant principalement : un procédé d’augmentation de la température, un procédé thermostatique, et un procédé de réduction de la température. La présente invention concerne l’unification de barres de cristaux de recuit produites sous différentes techniques de croissance de cristaux et de préhension de barre afin d’éliminer la contrainte résiduelle à l’intérieur de la barre de cristal pour améliorer la consistance du matériau de barre de cristal de saphir afin d’améliorer le rendement et l’uniformité dans ce dernier procédé de traitement et d’extension de tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)