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1. (WO2018076901) THIN-FILM LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/076901 International Application No.: PCT/CN2017/097844
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 17.08.2017
IPC:
H01L 33/24 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
20
with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24
of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Applicants:
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventors:
钟志白 ZHONG, Zhibai; CN
李佳恩 LEE, Chia-En; CN
郑锦坚 ZHENG, Jinjian; CN
杨力勋 YANG, Lixun; CN
徐宸科 HSU, Chen-Ke; CN
康俊勇 KANG, Junyong; CN
Priority Data:
201610928037.X31.10.2016CN
Title (EN) THIN-FILM LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法
Abstract:
(EN) Disclosed are a thin-film light-emitting diode chip and a manufacturing method therefor. The thin-film light-emitting diode chip comprises: a permanent substrate and a light-emitting structure (200) located thereon. The light-emitting structure (200) is a thin film grown with group III-V materials, and has two opposite surfaces, wherein a first surface (201) is formed by a light-emitting light-emergent face and a first electrode (700), and a second surface (203) is connected to the permanent substrate. The thin-film light-emitting diode chip is characterized in that the second surface (203) of the light-emitting structure is provided with a plurality of V-Pits (204); the permanent substrate includes metallic reflecting layers (300, 301), a mirror layer (400), a metallic bonding layer (500) and a heat conducting layer (600) from top to bottom; and the V-Pits (204) are filled with the metallic reflecting layer (301).
(FR) Une diode électroluminescente à couche mince et un procédé de fabrication de celle-ci sont divulgués. La puce de diode électroluminescente à couche mince comprend : un substrat permanent et une structure électroluminescente (200) située sur celui-ci. La structure électroluminescente (200) est un film tiré avec des matériaux des groupes III-V, et comporte deux surfaces opposées, la première surface (201) étant composée d'une face émergente à la lumière et électroluminescente et d’une première électrode (700), et la seconde surface (203) étant connectée au substrat permanent. La puce de diode électroluminescente à couche mince est caractérisée en ce que la seconde surface (203) de la structure électroluminescente est pourvue d'une pluralité de puits en V (204) ; le substrat permanent comprend, du haut vers le bas, des couches réfléchissantes métalliques (300, 301), une couche miroir (400), une couche de liaison métallique (500) et une couche conductrice de chaleur (600) ; et les puits en V (204) sont remplis avec la couche réfléchissante métallique (301).
(ZH) 一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法,包括:永久基材和位于其上的发光结构(200),所述发光结构(200)为III-V族材料所生长的薄膜,有相对的两个表面,其中第一表面(201)为发光的出光面及第一电极(700)所构成,第二表面(203)与所述永久基材进行连接,其特征在于:所述发光结构的第二表面(203)具有若干个V-Pits (204),所述永久基材从上到下包含金属反射层(300、301)、镜面层(400)、金属键合层(500)以及导热层(600),所述金属反射层(301)填充于所述V-Pits (204)中。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)