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1. (WO2018076612) HYDROGEN ENRICHING CUP AND ELECTROLYTIC STRUCTURE THEREOF
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Pub. No.: WO/2018/076612 International Application No.: PCT/CN2017/079551
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 06.04.2017
IPC:
C02F 1/461 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN BREO TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; 22/F, Jinshan Building No. 5033, Shennan East Road, Luohu District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventors: MA, Xuejun; CN
ZHAO, Yongchao; CN
Agent: SHENZHEN ZHONGYI UNION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 9/F (P.O. Box No. 5), Baochun Building No. 1014 Shennan Middle Road Yuanling Street, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Priority Data:
201621194174.728.10.2016CN
Title (EN) HYDROGEN ENRICHING CUP AND ELECTROLYTIC STRUCTURE THEREOF
(FR) GODET D'ENRICHISSEMENT EN HYDROGÈNE ET STRUCTURE ÉLECTROLYTIQUE ASSOCIÉE
(ZH) 一种富氢水杯及其电解结构
Abstract: front page image
(EN) A hydrogen-enriching cup, provided with an electrolytic structure in a base (100) thereof. The electrolytic structure comprises a motherboard (10) and a platinum titanium mesh structure (20). The motherboard (10) is fixed on the back side of the base (100) away from the water. The platinum titanium mesh (20) is provided toward the water side of the base (100), and is electrically connected to the motherboard (10). The platinum titanium mesh (20) comprises a first platinum titanium mesh (21), a second platinum titanium mesh (22), and an ion exchange membrane (23). The first platinum titanium mesh (21) and the second platinum titanium mesh (22) sandwich the ion exchange membrane (23). The platinum titanium mesh (21) is electrically connected to a cathode of the motherboard (10). The second platinum titanium mesh (22) is electrically connected to an anode of the motherboard (10).
(FR) L'invention concerne un godet d'enrichissement en hydrogène pourvu, dans sa base, d'une structure électrolytique (100). La structure électrolytique comprend une carte mère (10) et une structure de maillage en titane de platine (20). La carte mère (10) est fixée sur le côté arrière de la base (100) éloigné de l'eau. Le maillage en titane de platine (20) est disposé vers le côté eau de la base (100) et est connecté électriquement à la carte mère (10). Le maillage en titane de platine (20) comprend un premier maillage en titane de platine (21), un second maillage en titane de platine (22), ainsi qu'une membrane échangeuse d'ions (23). Le premier maillage en de titane de platine (21) et le second maillage en titane de platine (22) prennent en sandwich la membrane échangeuse d'ions (23). Le maillage en titane de platine (21) est connecté électriquement à une cathode de la carte mère (10). Le second maillage en titane de platine (22) est connecté électriquement à une anode de la carte mère (10).
(ZH) 一种富氢水杯,其在水杯的底座(100)中设有电解结构。电解结构包括主板(10)、铂金钛网结构(20),主板(10)固定在底座(100)的背水侧上,铂金钛网结构(20)设置在底座(100)的朝水侧上,且铂金钛网结构(20)与主板(10)电连接,其中,铂金钛网结构(20)包括第一铂金钛网(21),第二铂金钛网(22)和离子交换膜(23),第一铂金钛网(21)和第二铂金钛网(22)夹住离子交换膜(23),第一铂金钛网(21)电连接至主板(10)的正极,第二铂金钛网(22)电连接至主板(10)的负极。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)