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1. (WO2018076407) NONPOLAR NANOROD LED GROWN ON LITHIUM GALLATE SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/076407    International Application No.:    PCT/CN2016/105813
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 15.11.2016
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; No. 381 Wushan Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640 (CN)
Inventors: LI, Guoqiang; (CN).
WANG, Wenliang; (CN).
YANG, Meijuan; (CN)
Agent: GUANGZHOU HUAXUE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD; 1st Floor, Material Building No. 381 Wushan Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640 (CN)
Priority Data:
201610931033.7 31.10.2016 CN
Title (EN) NONPOLAR NANOROD LED GROWN ON LITHIUM GALLATE SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DEL À NANOTIGES NON POLAIRE DÉVELOPPÉES SUR UN SUBSTRAT DE GALLATE DE LITHIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a nanorod LED grown on a lithium gallate substrate and a preparation method therefor. The nonpolar nanorod LED grown on the lithium gallate substrate comprises an LiGaO2 substrate (10), a GaN nanorod array (11) grown on the LiGaO2 substrate, a non-doped GaN layer (13) grown on the GaN nanorod array, an n-type doped GaN layer (14) grown on the non-doped GaN layer, an InGaN/GaN quantum well (15) grown on the n-type doped GaN layer, and a p-type doped GaN layer (16) grown on the InGaN/GaN quantum well, wherein the GaN nanorod array is a nonpolar GaN nanorod array. The selected lithium gallate substrate is low in material cost; the prepared nanorod array is controllable in dimensions and uniform in orientation; and the resulting nonpolar nanorod LED has a low defect density, and excellent electrical and optical properties.
(FR)L'invention concerne une DEL à nanotiges développées sur un substrat de gallate de lithium et son procédé de préparation. La DEL à nanotiges non polaire développées sur le substrat de gallate de lithium comprend un substrat de LiGaO2 (10), un réseau de nanotiges de GaN (11) développées sur le substrat de LiGaO2, une couche de GaN non dopée (13) développée sur le réseau de nanotiges de GaN, une couche de GaN dopée de type n (14) développée sur la couche de GaN non dopée, un puits quantique InGaN/GaN (15) développé sur la couche de GaN dopée de type n, et une couche de GaN dopée de type p (16) développée sur le puits quantique InGaN/GaN, le réseau de nanotiges de GaN étant un réseau de nanotiges de GaN non polaire. Le substrat de gallate de lithium sélectionné présente un faible coût de matériau; le réseau de nanotiges préparé peut être commandé en dimensions et uniforme en orientation; et la DEL à nanotiges non polaire résultante a une faible densité de défauts, et d'excellentes propriétés électriques et optiques.
(ZH)一种生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED及其制备方法。生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO 2衬底(10),生长在LiGaO 2衬底上的GaN纳米柱阵列(11),生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层(13),生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层(14),生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱(15),生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层(16);GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉,所制备的纳米柱阵列尺寸可控,取向均一,所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)