WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Options
Query Language
Stem
Sort by:
List Length
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018067299) METHOD FOR DEPOSITING METALS FREE ALD SILICON NITRIDE FILMS USING HALIDE-BASED PRECURSORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/067299 International Application No.: PCT/US2017/052138
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 19.09.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION[US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventors: SIMS, James S.; US
HENRI, Jon; US
CHANDRASEKHARAN, Ramesh; US
MCKERROW, Andrew John; US
VARADARAJAN, Seshasayee; US
KELCHNER, Kathryn Merced; US
Agent: SKIFF, Peter K.; US
Priority Data:
15/287,17606.10.2016US
Title (EN) METHOD FOR DEPOSITING METALS FREE ALD SILICON NITRIDE FILMS USING HALIDE-BASED PRECURSORS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM ALD EXEMPTS DE MÉTAUX À L'AIDE DE PRÉCURSEURS À BASE D'HALOGÉNURE
Abstract:
(EN) A method of depositing silicon nitride films on semiconductor substrates processed in a micro-volume of a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) reaction chamber wherein a single semiconductor substrate is supported on a ceramic surface of a pedestal and process gas is introduced through gas outlets in a ceramic surface of a showerhead into a reaction zone above the semiconductor substrate, includes (a) cleaning the ceramic surfaces of the pedestal and showerhead with a fluorine plasma, (b) depositing a halide-free atomic layer deposition (ALD) oxide undercoating on the ceramic surfaces, (c) depositing a precoating of ALD silicon nitride on the halide-free ALD oxide undercoating, and (d) processing a batch of semiconductor substrates by transferring each semiconductor substrate into the reaction chamber and depositing a film of ALD silicon nitride on the semiconductor substrate supported on the ceramic surface of the pedestal.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt de films de nitrure de silicium sur des substrats semi-conducteurs traités dans un micro-volume d'une chambre de réaction de dépôt de couche atomique assisté par plasma (PEALD) dans laquelle un seul substrat semi-conducteur est supporté sur une surface en céramique d'un socle et un gaz de traitement est introduit à travers des sorties de gaz dans une surface en céramique d'une pomme de douche dans une zone de réaction au-dessus du substrat semi-conducteur, lequel procédé consiste (a) à nettoyer les surfaces en céramique du socle et de la pomme de douche avec un plasma de fluor, (b) à déposer une sous-couche d'oxyde de dépôt de couche atomique (ALD) exempte d'halogénure sur les surfaces en céramique, (c) à déposer un pré-revêtement de nitrure de silicium ALD sur la sous-couche d'oxyde ALD exempte d'halogénure, et (d) à traiter un lot de substrats semi-conducteurs par transfert de chaque substrat semi-conducteur dans la chambre de réaction et par dépôt d'un film de nitrure de silicium ALD sur le substrat semi-conducteur supporté sur la surface en céramique du socle.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)