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1. (WO2018066517) METHOD FOR PRODUCING COMPOSITION FOR RESIST PATTERN COATING WITH USE OF SOLVENT REPLACEMENT METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/066517    International Application No.:    PCT/JP2017/035832
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 02.10.2017
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: SHIGAKI, Shuhei; (JP).
TAKEDA, Satoshi; (JP).
SHIBAYAMA, Wataru; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Agent: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2016-196748 04.10.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING COMPOSITION FOR RESIST PATTERN COATING WITH USE OF SOLVENT REPLACEMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COMPOSITION DESTINÉE À UN REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE REMPLACEMENT DE SOLVANT
(JA) 溶剤置換法を用いたレジストパターン塗布用組成物の製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a method for producing a coating composition for reversing a pattern by being applied onto a resist film which has been patterned by a solvent development lithography process. [Solution] A method for producing a composition to be applied onto a patterned resist film, which comprises (A) a step for obtaining a hydrolysis condensation product by hydrolyzing and condensing a hydrolyzable silane in a non-alcoholic hydrophilic solvent, and (B) a step for performing solvent replacement of the hydrolysis condensation product from the non-alcoholic hydrophilic solvent to a hydrophobic solvent. A method for producing a semiconductor device, which comprises (1) a step for forming a resist film on a substrate by applying a resist composition thereto, (2) a step for subjecting the resist film to light exposure and development, (3) a step for forming a coating film in the spaces among the pattern by applying a composition obtained by the above-described production method to a patterned resist film obtained during or after the development in step (2), and (4) a step for reversing the pattern by removing the patterned resist film by etching. The production method wherein the light exposure is performed with use of an ArF laser (wavelength: 193 nm) or EUV (wavelength: 13.5 nm). The production method wherein the development is a negative development by means of an organic solvent.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de revêtement pour inverser un motif par application sur un film de réserve qui a été modelé par un procédé de lithographie par développement de solvant. La solution décrite par la présente invention concerne un procédé de production d'une composition à appliquer sur un film de réserve à motifs, qui comprend (A) une étape consistant à obtenir un produit de condensation par hydrolyse en hydrolysant et condensant un silane hydrolysable dans un solvant hydrophile non alcoolique, et (B) une étape consistant à effectuer un remplacement par solvant du produit de condensation d'hydrolyse du solvant hydrophile non alcoolique à un solvant hydrophobe. L'invention concerne également un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, qui comprend (1) une étape consistant à former un film de réserve sur un substrat par application d'une composition de réserve sur ce dernier, (2) une étape consistant à soumettre le film de réserve à une exposition à la lumière et à un développement, (3) une étape consistant à former un film de revêtement dans les espaces entre le motif par application d'une composition obtenue par le procédé de production décrit ci-dessus à un film de réserve à motifs obtenu pendant ou après le développement à l'étape (2), et (4) une étape d'inversion du motif par élimination du film de réserve à motifs par gravure. Dans le procédé de production, l'exposition à la lumière est effectuée à l'aide d'un laser ArF (longueur d'onde : 193 nm) ou EUV (longueur d'onde : 13,5 nm). Dans le procédé de production, le développement est un développement négatif au moyen d'un solvant organique.
(JA)【課題】 溶剤現像リソグラフィープロセスでパターン化されたレジスト膜上に塗布してパターンを反転させるための塗布用組成物の製造方法を提供する。 【解決手段】 加水分解性シランを非アルコール系親水性溶剤中で加水分解し縮合して加水分解縮合物を得る工程(A)、該加水分解縮合物についてその非アルコール系親水性溶剤を疎水性溶剤に溶媒置換する工程(B)を含むパターン化されたレジスト膜に塗布される組成物の製造方法。基板上にレジスト組成物を塗布しレジスト膜を形成する工程(1)、該レジスト膜を露光と現像する工程(2)、工程(2)の現像中又は現像後に得られるパターン化されたレジスト膜に上記の製造方法により得られた組成物を塗布し、パターン間に塗膜を形成する工程(3)、パターン化されたレジスト膜をエッチング除去してパターンを反転させる工程(4)を含む半導体装置の製造方法。露光がArFレーザー(波長193nm)又はEUV(波長13.5nm)を用いて行われる製造方法。現像が有機溶剤によるネガ型現像である製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)