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1. (WO2018066483) SEMICONDUCTOR ELEMENT
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Pub. No.:    WO/2018/066483    International Application No.:    PCT/JP2017/035690
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 29.09.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 31/02 (2006.01)
Applicants: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP).
ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP)
Inventors: HOSONO, Hideo; (JP).
KUMOMI, Hideya; (JP).
WATANABE, Satoru; (JP).
NAKAMURA, Nobuhiro; (JP).
ITO, Kazuhiro; (JP).
MIYAKAWA, Naomichi; (JP)
Agent: ITOH, Tadashige; (JP).
ITOH, Tadahiko; (JP)
Priority Data:
2016-195785 03.10.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor element which comprises an n-type Si portion, a first layer that is arranged on the n-type Si portion, a second layer that is arranged on the first layer, and an electrode layer that is arranged on the second layer. The first layer is configured from an electride of an oxide that contains a calcium atom and an aluminum atom. The second layer is selected from the group consisting of: (i) metal oxides that contain zinc (Zn) and oxygen (O), and additionally contains at least one of silicon (Si) and tin (Sn); (ii) metal oxides that contain titanium (Ti) and oxygen (O); (iii) metal oxides that contain tin (Sn) and oxygen (O); and (iv) metal oxides that contain zinc (Zn) and oxygen (O).
(FR)L'invention concerne un élément semiconducteur qui comprend une portion en Si de type n, une première couche qui est disposée sur la portion en Si de type n, une deuxième couche qui est disposée sur la première couche et une couche d'électrode qui est disposée sur la deuxième couche. La première couche est constituée d'un électrure d'un oxyde qui contient un atome de calcium et un atome d'aluminium. La deuxième couche est choisie dans le groupe constitué par : (i) des oxydes métalliques qui contiennent du zinc (Zn) et de l'oxygène (O), et contient en outre au moins l'un parmi le silicium (Si) et l'étain (Sn) ; (ii) des oxydes métalliques qui contiennent du titane (Ti) et de l'oxygène (O) ; (iii) des oxydes métalliques qui contiennent de l'étain (Sn) et de l'oxygène (O) ; et (iv) des oxydes métalliques qui contiennent du zinc (Zn) et de l'oxygène (O).
(JA)n型Si部分と、該n型Si部分の上に配置された第1の層と、該第1の層の上に配置された第2の層と、前記第2の層の上に配置された電極層と、を有し、前記第1の層は、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む酸化物のエレクトライドで構成され、前記第2の層は、以下の群:(i)亜鉛(Zn)および酸素(O)を含み、さらに、ケイ素(Si)およびスズ(Sn)のうちの少なくとも1つを含む金属酸化物、(ii)チタン(Ti)および酸素(O)を含む金属酸化物、(iii)スズ(Sn)および酸素(O)を含む金属酸化物、ならびに(iv)亜鉛(Zn)および酸素(O)を含む金属酸化物、から選定される、半導体素子。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)