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1. (WO2018066247) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/066247    International Application No.:    PCT/JP2017/030173
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 23.08.2017
IPC:
G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: MARUMO Kazuhiro; (JP).
TANGO Naohiro; (JP)
Agent: NAKASHIMA Junko; (JP).
YONEKURA Junzo; (JP).
MURAKAMI Yasunori; (JP)
Priority Data:
2016-196521 04.10.2016 JP
Title (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UNE LUMIÈRE ACTIVE OU À UN RAYONNEMENT ACTIF, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: an active light sensitive or radiation sensitive resin composition from which a resist film can be formed having excellent water repellency and having, after coming into contact with an alkali developing solution, improved hydrophilicity can be formed, and on which a pattern having an excellent LWR; a resist film; a pattern forming method; and an electronic device manufacturing method. This active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains a resin A of which the solubility to an alkali developing solution is increased by an action of an acid, a compound B which generates an acid by being irradiated with active light or radiation, a resin C which has a surface energy exceeding 25 mJ/m2, which has at least fluorine atoms or silicon atoms, and which has a polarity conversion group, and a resin D which has a surface energy of 25 mJ/m2 or lower. The contained amount of the resin D is at least 1.1 mass% with respect to the total solid content of the active light sensitive or radiation sensitive resin composition.
(FR)L'invention concerne : une composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif, à partir de laquelle un film de réserve peut être formé qui possède une excellente propriété hydrofuge et présente, après mise en contact avec une solution de développement alcaline, une propriété hydrophile améliorée, et sur laquelle un motif présentant une excellente rugosité de largeur de ligne (LWR) peut être formé ; un film de réserve ; un procédé de formation de motif ; ainsi qu'un procédé de fabrication de dispositif électronique. Cette composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif contient une résine A dont la solubilité dans une solution de développement alcaline est augmentée par l'action d'un acide, un composé B qui génère un acide en étant soumis à un rayonnement à l'aide d'une lumière active ou d'un rayonnement actif, une résine C qui possède une énergie de surface supérieure à 25 mJ/m 2 , qui comprend au moins des atomes de fluor ou des atomes de silicium et comprend un groupe de conversion de polarité, ainsi qu'une résine D qui possède une énergie de surface de 25 mJ/m 2 ou moins. La quantité contenue de la résine D est d'au moins 1,1 %m par rapport au contenu solide total de la composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif.
(JA)優れた撥水性を有しつつ、アルカリ現像液と接触した後に親水性が向上するレジスト膜を形成でき、かつ、LWRに優れたパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bと、表面エネルギーが25mJ/m超であり、フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有し、かつ、極性変換基を有する樹脂Cと、表面エネルギーが25mJ/m以下である樹脂Dと、を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、樹脂Dの含有量が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、1.1質量%以上である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)