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1. (WO2018066173) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/066173    International Application No.:    PCT/JP2017/020887
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 05.06.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: HORI, Tsutomu; (JP)
Agent: ITOH, Tadashige; (JP).
ITOH, Tadahiko; (JP)
Priority Data:
2016-196636 04.10.2016 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板及び炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A silicon carbide epitaxial substrate includes: a silicon carbide single crystal substrate which has a main surface tilted at more than 0º and equal to or less than 8º to the {0001} plane and has a diameter of 100 mm or more; a silicon carbide epitaxial layer which is formed on the main surface and has a thickness of 20 μm or more; and a basal plane dislocation which is contained in the silicon carbide epitaxial layer, wherein one end of the basal plane dislocation is connected to a threading screw dislocation contained in the silicon carbide epitaxial layer and the other end of the basal plane dislocation exists on the surface of the silicon carbide epitaxial layer. The basal plane dislocation extends in a direction that is tilted at 20 to 80º inclusive to the <11-20> direction on the {0001} basal plane. The density of the basal plane dislocation is 0.05/cm2 or less.
(FR)L'invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium qui comprend : un substrat monocristallin de carbure de silicium qui a une surface principale inclinée à plus de 0° et à ou moins de 8º par rapport au plan {0001}, et qui a un diamètre de 100 mm ou plus; une couche épitaxiale de carbure de silicium qui est formée sur la surface principale et a une épaisseur de 20 µm ou plus; et une dislocation de plan de base qui est contenue dans la couche épitaxiale de carbure de silicium, une extrémité de la dislocation de plan de base étant connectée à une dislocation de vis de filetage contenue dans la couche épitaxiale de carbure de silicium, tandis que l'autre extrémité de la dislocation de plan de base se situe sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La dislocation de plan de base s'étend dans une direction qui est inclinée à 20 à 80° compris dans la direction <11-20> sur le plan de base {0001}. La densité de la dislocation du plan de base est de 0,05/cm2 ou moins.
(JA)炭化珪素エピタキシャル基板は、{0001}面から0°を超え8°以下傾斜した主面を有する100mm以上の径の炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚が20μm以上の炭化珪素エピタキシャル層と、炭化珪素エピタキシャル層に含まれ、一方の端部が炭化珪素エピタキシャル層に含まれる貫通らせん転位と連結しており、他方の端部は前記炭化珪素エピタキシャル層の表面に存在する基底面転位と、を有する。基底面転位は、{0001}基底面において<11-20>方向に対し、20°以上80°以下の傾きを有する方向に伸びる。基底面転位の密度は0.05個/cm以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)