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1. (WO2018064983) GAS PHASE ETCHING APPARATUS AND GAS PHASE ETCHING EQUIPMENT
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Pub. No.: WO/2018/064983 International Application No.: PCT/CN2017/105368
Publication Date: 12.04.2018 International Filing Date: 09.10.2017
IPC:
H01L 21/67 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
Applicants:
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventors:
张军 ZHANG, Jun; CN
马振国 MA, Zhenguo; CN
吴鑫 WU, Xin; CN
文莉辉 WEN, Lihui; CN
胡云龙 HU, Yunlong; CN
张鹤南 ZHANG, Henan; CN
储芾坪 CHU, Fuping; CN
Agent:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Priority Data:
201610879076.508.10.2016CN
Title (EN) GAS PHASE ETCHING APPARATUS AND GAS PHASE ETCHING EQUIPMENT
(FR) APPAREIL DE GRAVURE EN PHASE GAZEUSE ET ÉQUIPEMENT DE GRAVURE EN PHASE GAZEUSE
(ZH) 气相刻蚀装置及气相刻蚀设备
Abstract:
(EN) A gas phase etching apparatus and equipment. The gas phase etching apparatus comprises a reaction cavity body (201), the space defined thereby forming a reaction cavity (203); a base (209), which is arranged within the reaction cavity and used for supporting a workpiece being processed; an air intake element (202), which is connected to the reaction cavity body and used for introducing an etchant into the interior of the reaction cavity; a pressure control component, which is connected to the reaction cavity body and used for controlling the pressure in the reaction cavity; a first temperature controller (208), which is connected to the reaction cavity body and used for controlling the temperature in the reaction cavity to a first temperature; and a second temperature controller (207), which is connected to the base and used for controlling the temperature of the base to a second temperature. The gas phase etching apparatus and equipment are capable of respectively controlling the temperature of the reaction cavity and that of the base, obviate the need for cooling the workpiece being processed when silicon dioxide is removed before a temperature requirement of a subsequent work process is satisfied, obviate the need for integrating an annealing function in an etching cavity or providing an annealing cavity and a cooling cavity, and are simple in process design, inexpensive, and high in production capacity.
(FR) L'invention concerne un appareil et un équipement de gravure en phase gazeuse. L'appareil de gravure en phase gazeuse comprend un corps de cavité de réaction (201), l'espace défini formant ainsi une cavité de réaction (203) ; une base (209), qui est agencée à l'intérieur de la cavité de réaction et utilisée pour supporter une pièce à usiner en cours de traitement ; un élément d'admission d'air (202), qui est relié au corps de cavité de réaction et utilisé pour introduire un agent de gravure dans l'intérieur de la cavité de réaction ; un composant de commande de pression, qui est relié au corps de cavité de réaction et utilisé pour commander la pression dans la cavité de réaction ; un premier dispositif de commande de température (208), qui est relié au corps de cavité de réaction et utilisé pour commander la température dans la cavité de réaction jusqu'à une première température ; et un second dispositif de commande de température (207), qui est relié à la base et utilisé pour commander la température de la base à une seconde température. L'appareil et l'équipement de gravure en phase gazeuse sont aptes à commander respectivement la température de la cavité de réaction et celle de la base, éviter le besoin de refroidir la pièce à travailler en cours de traitement lorsque le dioxyde de silicium est éliminé avant qu'une exigence de température d'un processus de travail ultérieur soit satisfaite, ce qui permet d'éviter la nécessité d'intégrer une fonction de recuit dans une cavité de gravure ou de fournir une cavité de recuit et une cavité de refroidissement, et sont simples en termes de conception de processus, ont un coût peu élevé et une capacité de production élevée.
(ZH) 一种气相刻蚀装置及设备。该气相刻蚀装置包括反应腔主体(201),其所限定的空间形成反应腔室(203);基座(209),其处于反应腔室的内部,用于承载被加工工件;进气件(202),其连接到反应腔主体,用于向反应腔室的内部通入刻蚀剂;压力控制组件,其与反应腔主体相连,用于控制反应腔室内的压力;第一温度控制器(208),其连接到反应腔主体,用于将反应腔室内的温度控制至第一温度;以及第二温度控制器(207),其连接到基座,用于将基座的温度控制至第二温度。该气相刻蚀装置及设备能分别控制反应腔室和基座的温度,使去除二氧化硅后的被加工工件无需冷却即可满足进入下一工序的温度要求,无需在刻蚀腔室中集成退火功能或配置退火腔室及冷却腔室,工艺设计简单、成本低且产能高。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)