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1. (WO2018064467) SYSTEM AND METHOD FOR PROCESS-INDUCED DISTORTION PREDICTION DURING WAFER DEPOSITION
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Pub. No.:    WO/2018/064467    International Application No.:    PCT/US2017/054279
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 29.09.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: LEVY, Ady; (US).
SMITH, Mark D.; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M. N.; (US)
Priority Data:
62/402,213 30.09.2016 US
15/707,927 18.09.2017 US
Title (EN) SYSTEM AND METHOD FOR PROCESS-INDUCED DISTORTION PREDICTION DURING WAFER DEPOSITION
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PRÉDICTION DE DISTORSION INDUITE PAR UN PROCESSUS PENDANT UN DÉPÔT DE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)A system is disclosed. The system includes a tool cluster. The tool cluster includes a first deposition tool configured to deposit a first layer on a wafer. The tool cluster additionally includes an interferometer tool configured to obtain one or more measurements of the wafer. The tool cluster additionally includes a second deposition tool configured to deposit a second layer on the wafer. The tool cluster additionally includes a vacuum assembly. One or more correctables configured to adjust at least one of the first deposition tool or the second deposition tool are determined based on the one or more measurements. The one or more measurements are obtained between the deposition of the first layer and the deposition of the second layer without breaking the vacuum generated by the vacuum assembly.
(FR)La présente invention concerne un système. Le système comprend un groupe d'outils. L'ensemble d'outils comprend un premier outil de dépôt configuré pour déposer une première couche sur une tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un interféromètre configuré pour obtenir une ou plusieurs mesures de la tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un second outil de dépôt configuré pour déposer une seconde couche sur la tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un ensemble sous vide. Une ou plusieurs correctifs conçus pour régler au moins l'un du premier outil de dépôt ou du second outil de dépôt sont déterminés sur la base de la ou des mesures. La ou les mesures sont obtenues entre le dépôt de la première couche et le dépôt de la seconde couche sans rompre le vide généré par l'ensemble sous vide.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)