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1. (WO2018064411) IMPLANT REGROWTH VCSEL AND VCSEL ARRAY WITH HETEROGENEOUS COMBINATION OF DIFFERENT VCSEL TYPES
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Pub. No.: WO/2018/064411 International Application No.: PCT/US2017/054170
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 28.09.2017
IPC:
H01S 5/183 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
183
having a vertical cavity (VCSE-lasers)
Applicants:
FINISAR CORPORATION [US/US]; 1389 Moffett Park Drive Sunnyvale, CA 94089, US
Inventors:
GRAHAM, Luke, A.; US
QUADERY, Sonia; US
GAZULA, Deepa; US
YANG, Haiquan; US
Agent:
MASCHOFF, Eric, L.; US
BARBER, Daniel, R.; US
BENNS, Jonathan, M.; US
BRAITHWAITE, Jared, J.; US
ATZET, Ian, A.; US
Priority Data:
62/401,05128.09.2016US
62/559,36415.09.2017US
Title (EN) IMPLANT REGROWTH VCSEL AND VCSEL ARRAY WITH HETEROGENEOUS COMBINATION OF DIFFERENT VCSEL TYPES
(FR) VCSEL À RECROISSANCE D'IMPLANT ET RÉSEAU DE VCSEL AVEC UNE COMBINAISON HÉTÉROGÈNE DE DIFFÉRENTS TYPES DE VCSEL
Abstract:
(EN) A non-planarized VCSEL can include: a blocking region over or under an active region, the blocking region having a first thickness; one or more conductive channel cores in the blocking region, the one or more conductive channel cores having a second thickness that is larger than the first thickness, wherein the blocking region is defined by having an implant and the one or more conductive channel cores are devoid of the implant, wherein the blocking region is lateral the one or more conductive channel cores, the blocking region and one or more conductive channel cores being an isolation region; and a non-planarized semiconductor region of one or more non-planarized semiconductor layers over the isolation region. The VCSEL can include a planarized bottom mirror region below the active region and a non-planarized top mirror region above the isolation region, or a non- planarized bottom mirror region below the active region.
(FR) Un VCSEL non planarisé peut comprendre : une région de blocage sur ou sous une région active, la région de blocage ayant une première épaisseur; un ou plusieurs noyaux de canal conducteur dans la région de blocage, l'un ou les noyaux de canal conducteur ayant une seconde épaisseur qui est plus grande que la première épaisseur, la région de blocage étant définie par le fait d'avoir un implant et l'un ou les noyaux de canal conducteur étant dépourvus de l'implant, la région de blocage étant latérale à l'un ou les noyaux de canal conducteur, la région de blocage et l'un ou les noyaux de canal conducteur étant une région d'isolation; et une région semi-conductrice non planarisée d'une ou de plusieurs couches semi-conductrices non planarisées sur la région d'isolation. Le VCSEL peut comprendre une région de miroir inférieure planarisée au-dessous de la région active et une région de miroir supérieur non planarisée au-dessus de la région d'isolation, ou une région de miroir inférieure non planarisée au-dessous de la région active.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)