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1. (WO2018063842) SOLAR CELLS WITH DIFFERENTIATED P-TYPE AND N-TYPE REGION ARCHITECTURES
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Pub. No.: WO/2018/063842 International Application No.: PCT/US2017/052067
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 18.09.2017
IPC:
H01L 31/072 (2006.01) ,H01L 31/0368 (2006.01) ,H01L 31/0236 (2006.01)
Applicants: SUNPOWER CORPORATION[US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134, US
Inventors: RIM, Seung Bum; US
JOHNSON, Michael C.; US
Agent: BRASK, Justin K.; US
BERNADICOU, Michael A.; US
Priority Data:
15/283,13730.09.2016US
Title (EN) SOLAR CELLS WITH DIFFERENTIATED P-TYPE AND N-TYPE REGION ARCHITECTURES
(FR) CELLULES SOLAIRES À ARCHITECTURES DE RÉGIONS DE TYPE P ET DE TYPE N DIFFÉRENCIÉES
Abstract: front page image
(EN) Methods of fabricating solar cell emitter regions with differentiated P-type and N-type regions architectures, and resulting solar cells, are described. In an example, a solar cell can include a substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first doped region of a first conductivity type, wherein the first doped region is disposed in a first portion of the back surface. A first thin dielectric layer disposed over the back surface of the substrate, where a portion of the first thin dielectric layer is disposed over the first doped region of the first conductivity type. A first semiconductor layer disposed over the first thin dielectric layer. A second doped region of a second conductivity type in the first semiconductor layer, where the second doped region is disposed over a second portion of the back surface.
(FR) L'invention concerne des procédés de fabrication de régions émettrices de cellules solaires ayant des architectures de régions de type P et de type N différenciées, ainsi que des cellules solaires obtenues par ces procédés. Selon un exemple, une cellule solaire peut comprendre un substrat présentant une surface de réception de lumière et une surface arrière. Une première région dopée d'un premier type de conductivité, la première région dopée étant disposée dans une première partie de la surface arrière. Une première couche diélectrique mince disposée sur la surface arrière du substrat, une partie de la première couche diélectrique mince étant disposée sur la première région dopée du premier type de conductivité. Une première couche semi-conductrice est disposée sur la première couche diélectrique mince. Une seconde région dopée d'un second type de conductivité dans la première couche semi-conductrice, la seconde région dopée étant disposée sur une seconde partie de la surface arrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)