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Pub. No.: WO/2018/063589 International Application No.: PCT/US2017/047999
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 22.08.2017
IPC:
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10
Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06
Sense amplifiers; Associated circuits
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; Intel Corporation 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventors: TORTORELLI, Innocenzo; IT
PIO, Federico; IT
Agent: YAZICIGIL, Vanessa; US
NELSON, Kenneth; US
Priority Data:
15/278,98328.09.2016US
Title (EN) DOUBLE-POLARITY MEMORY READ
(FR) LECTURE DE MÉMOIRE À DOUBLE POLARITÉ
Abstract:
(EN) Circuits, systems, and methods for double-polarity reading of double-polarity stored data information are described. In one embodiment, a method involves applying a first voltage with a first polarity to a plurality of the memory cells. The method involves applying a second voltage with a second polarity to one or more of the plurality of memory cells. The method involves detecting electrical responses of the one or more memory cells to the first voltage and the second voltage. The method also involves determining a logic state of the one or more memory cells based on the electrical responses of the one or more memory cells to the first voltage and the second voltage.
(FR) L'invention concerne des circuits, des systèmes et des procédés de lecture à double polarité d'informations de données stockées à double polarité. Selon un mode de réalisation, un procédé consiste à appliquer une première tension ayant une première polarité à une pluralité de cellules de mémoire. Le procédé consiste à appliquer une seconde tension ayant une seconde polarité à une ou plusieurs cellules de la pluralité de cellules de mémoire. Le procédé consiste à détecter des réponses électriques d'une ou de plusieurs cellules de mémoire à la première tension et à la seconde tension. Le procédé consiste également à déterminer un état logique d'une ou plusieurs cellules de mémoire sur la base des réponses électriques d'une ou de plusieurs cellules de mémoire à la première tension et à la seconde tension.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)