WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018063399) LAYERED SPACER FORMATION FOR ULTRASHORT CHANNEL LENGTHS AND STAGGERED FIELD PLATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/063399    International Application No.:    PCT/US2016/055020
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: THEN, Han Wui; (US).
DASGUPTA, Sansaptak; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) LAYERED SPACER FORMATION FOR ULTRASHORT CHANNEL LENGTHS AND STAGGERED FIELD PLATES
(FR) FORMATION D'ESPACEUR EN COUCHES POUR LONGUEURS DE CANAL ULTRACOURTES ET PLAQUES DE CHAMP DÉCALÉES
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention include a semiconductor device and methods of forming such devices. In an embodiment, the semiconductor device includes a source region, a drain region, and a channel region formed between the source region and drain region. In an embodiment, a first interlayer dielectric (ILD) may be formed over the channel region, and a first opening is formed through the first ILD. In an embodiment, a second ILD may be formed over the first ILD, and a second opening is formed through the second ILD. Embodiments of the invention include the second opening being offset from the first opening. Embodiments may also include a gate electrode formed through the first opening and the second opening. In an embodiment, the offset between the first opening and the second opening results in the formation of a field plate and a spacer that reduces a gate length of the semiconductor device.
(FR)Les modes de réalisation de l'invention incluent un dispositif à semi-conducteur et des procédés de formation de tels dispositifs. Dans un mode de réalisation, le dispositif à semi-conducteur comprend une région de source, une région de drain et une région de canal formée entre la région de source et la région de drain. Dans un mode de réalisation, un premier diélectrique intercouche (ILD) peut être formé sur la région de canal, et une première ouverture est formée à travers le premier ILD. Dans un mode de réalisation, un second ILD peut être formé sur le premier ILD, et une seconde ouverture est formée à travers le second ILD. Des modes de réalisation de l'invention comprennent la seconde ouverture décalée par rapport à la première ouverture. Des modes de réalisation peuvent également comprendre une électrode de grille formée à travers la première ouverture et la seconde ouverture. Dans un mode de réalisation, le décalage entre la première ouverture et la seconde ouverture entraîne la formation d'une plaque de champ et d'un espaceur qui réduit une longueur de grille du dispositif à semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)