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1. (WO2018063324) CHIP ASSEMBLIES EMPLOYING SOLDER BONDS TO BACK-SIDE LANDS INCLUDING AN ELECTROLYTIC NICKEL LAYER
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Pub. No.:    WO/2018/063324    International Application No.:    PCT/US2016/054778
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: SATTIRAJU, Seshu V.; (US).
GANESAN, Krishna Prakash; (US).
BHATIA, Ashish; (US).
SRIRAM, Vinay; (US).
MUIRHEAD, John; (US).
KOTHARI, Hiten; (US).
GUNAWAN, Aloysius A.; (US).
ARYASOMAYAJULA, Lavanya; (US).
GOWRISHANKAR, Shravan; (US).
PATTABHIRAMAN, Sriram; (US).
GUHA, Sudipto; (US)
Agent: HOWARD, James M.; (US)
Priority Data:
Title (EN) CHIP ASSEMBLIES EMPLOYING SOLDER BONDS TO BACK-SIDE LANDS INCLUDING AN ELECTROLYTIC NICKEL LAYER
(FR) ASSEMBLAGES DE PUCES UTILISANT DES LIAISONS DE SOUDURE SUR DES PASTILLES DE FACE ARRIÈRE COMPRENANT UNE COUCHE DE NICKEL ÉLECTROLYTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A stacked-chip assembly including a plurality of IC chips or die that are stacked, and electrically coupled by solder bonds. In accordance with some embodiments described further below, the solder bonds are to contact a back-side land that includes a diffusion barrier to reduce intermetallic formation and/or other solder-induced reliability issues. The back-side land may include an electrolytic nickel (Ni) barrier layer separating solder from a back-side redistribution layer trace. This electrolytic Ni may be of high purity, which at least in part, may enable the backside metallization stack to be of minimal thickness while still functioning as a diffusion barrier. In some embodiments, the back-side land composition and architecture is distinct from a front-side land composition and/or architecture.
(FR)Un assemblage de puces empilées comprend une pluralité de puces CI ou de dé qui sont empilées, et couplées électriquement par des liaisons de soudure. Selon certains modes de réalisation décrits ci-après, les liaisons de soudure sont destinées à entrer en contact avec une pastille de face arrière qui comprend une barrière de diffusion pour réduire la formation intermétallique et/ou d'autres problèmes de fiabilité induits par soudure. La pastille de face arrière peut comprendre une couche barrière de nickel électrolytique (Ni) séparant la soudure d'une trace de couche de redistribution de face arrière. Ce Ni électrolytique peut être de haute pureté, qui, au moins en partie, peut permettre à l'empilement de métallisation de face arrière d'être d'épaisseur minimale tout en fonctionnant toujours en tant que barrière de diffusion. Dans certains modes de réalisation, la composition et l'architecture de pastille de face arrière sont distinctes d'une composition et/ou d'une architecture de pastille de face avant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)