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1. (WO2018063320) CONDUCTIVE BRIDGE RANDOM ACCESS MEMORY (CBRAM) DEVICES WITH LOW THERMAL CONDUCTIVITY ELECTROLYTE SUBLAYER
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Pub. No.: WO/2018/063320 International Application No.: PCT/US2016/054748
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors: KARPOV, Elijah V.; US
KOTLYAR, Roza; US
MAJHI, Prashant; US
BIELEFELD, Jeffery D.; US
Agent: BRASK, Justin, K.; US
Priority Data:
Title (EN) CONDUCTIVE BRIDGE RANDOM ACCESS MEMORY (CBRAM) DEVICES WITH LOW THERMAL CONDUCTIVITY ELECTROLYTE SUBLAYER
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE À PONT CONDUCTEUR (CBRAM) À SOUS-COUCHE D'ÉLECTROLYTE À FAIBLE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE
Abstract:
(EN) Conductive bridge random access memory (CBRAM) devices with low thermal conductivity electrolyte sublayers are described. In an example, a conductive bridge random access memory (CBRAM) device includes a conductive interconnect disposed in an inter-layer dielectric (ILD) layer disposed above a substrate. The CBRAM device also includes a CBRAM element disposed on the conductive interconnect. The CBRAM element includes an active electrode layer disposed on the conductive interconnect, and a resistance switching layer disposed on the active electrode layer. The resistance switching layer includes a first electrolyte material layer disposed on a second electrolyte material layer, the second electrolyte material layer disposed on the active electrode layer and having a thermal conductivity lower than a thermal conductivity of the first electrolyte material layer. A passive electrode layer is disposed on the first electrolyte material of the resistance switching layer.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) ayant des sous-couches d'électrolyte à faible conductivité thermique. Dans un exemple, un dispositif de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) comprend une interconnexion conductrice disposée dans une couche diélectrique inter-couche (ILD) disposée au-dessus d'un substrat. Le dispositif CBRAM comprend également un élément CBRAM disposé sur l'interconnexion conductrice. L'élément CBRAM comprend une couche d'électrode active disposée sur l'interconnexion conductrice, et une couche de commutation de résistance disposée sur la couche d'électrode active. La couche de commutation de résistance comprend une première couche de matériau d'électrolyte disposée sur une seconde couche de matériau d'électrolyte, la seconde couche de matériau d'électrolyte étant disposée sur la couche d'électrode active et ayant une conductivité thermique inférieure à une conductivité thermique de la première couche de matériau d'électrolyte. Une couche d'électrode passive est disposée sur le premier matériau d'électrolyte de la couche de commutation de résistance.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)