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1. (WO2018063303) DIELECTRIC GAP-FILL MATERIAL DEPOSITION
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Pub. No.:    WO/2018/063303    International Application No.:    PCT/US2016/054711
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LUCE, Jeanne L.; (US).
MAYS, Ebony L.; (US).
KILLAMPALLI, Aravind S.; (US).
GUPTA, Jay P.; (US)
Agent: BRASK, Justin K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) DIELECTRIC GAP-FILL MATERIAL DEPOSITION
(FR) DÉPÔT DE MATÉRIAU DE REMPLISSAGE DE GAP DIÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A flowable chemical vapor deposition method including depositing a dielectric film precursor on a substrate in a flowable form; depositing an oligomerization agent on the substrate; forming a dielectric film from the dielectric film precursor; and curing the dielectric film under a pressure greater than atmospheric pressure. A method including depositing a dielectric film precursor as a liquid on a substrate in the presence of an oligomerization agent; treating the deposited dielectric film precursor to inhibit outgassing; and curing the dielectric film precursor to form a dielectric film. A method including delivering a dielectric film precursor as a vapor to a substrate including gap structures between device features; condensing the dielectric film precursor on the substrate to a liquid; flowing the liquid into the gap structures; and curing the dielectric film precursor under a pressure of 15 pounds per square inch gauge or greater.
(FR)Un procédé de dépôt chimique en phase vapeur fluide comprend le dépôt d'un précurseur de film diélectrique sur un substrat sous une forme fluide; le dépôt d'un agent d'oligomérisation sur le substrat; la formation d'un film diélectrique à partir du précurseur de film diélectrique; et le durcissement du film diélectrique sous une pression supérieure à la pression atmosphérique. Un procédé comprend le dépôt d'un précurseur de film diélectrique sous la forme d'un liquide sur un substrat en présence d'un agent d'oligomérisation; le traitement du précurseur de film diélectrique déposé pour inhiber le dégazage; et le durcissement du précurseur de film diélectrique pour former un film diélectrique. Un procédé comprenant la distribution d'un précurseur de film diélectrique sous la forme d'une vapeur à un substrat comprenant des structures d'espace entre des éléments de dispositif; la condensation du précurseur de film diélectrique sur le substrat à un liquide; l'écoulement du liquide dans les structures d'espace; et le durcissement du précurseur de film diélectrique sous une pression de 15 livres par mètre carré ou plus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)