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1. (WO2018063290) STIFF QUANTUM LAYERS TO SLOW AND OR STOP DEFECT PROPAGATION
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Pub. No.:    WO/2018/063290    International Application No.:    PCT/US2016/054676
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: METZ, Matthew; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
KENNEL, Harold W.; (US).
HUANG, Cheng-Ying; (US).
MA, Sean T.; (US).
RACHMADY, Willy; (US)
Agent: BOOTH, Brett C.; (US)
Priority Data:
Title (EN) STIFF QUANTUM LAYERS TO SLOW AND OR STOP DEFECT PROPAGATION
(FR) COUCHES QUANTIQUES RIGIDES POUR RALENTIR ET/OU ARRÊTER LA PROPAGATION DE DÉFAUTS
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor devices, computing devices, and related methods are disclosed herein. A semiconductor device includes a seed material, an epitaxial material in contact with the seed material, and at least one quantum region including an elastic stiffness that is greater than an elastic stiffness of the epitaxial material. The epitaxial material has lattice parameters that are different from lattice parameters of the seed material by at least a threshold amount. Lattice parameters of the quantum region are within the threshold amount of the lattice parameters of the epitaxial material. A method includes disposing an epitaxial material on a seed material, disposing a quantum region on the epitaxial material, and disposing the epitaxial material on the quantum region.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs, des dispositifs informatiques et des procédés associés. Un dispositif à semi-conducteurs comprend un matériau germe, un matériau épitaxial en contact avec le matériau germe, et au moins une zone quantique possédant une rigidité élastique supérieure à une rigidité élastique du matériau épitaxial. Le matériau épitaxial possède des paramètres de réseau qui diffèrent des paramètres de réseau du matériau germe d'au moins une quantité seuil. Les paramètres de réseau de la zone quantique sont dans les limites de la quantité seuil des paramètres de réseau du matériau épitaxial. L'invention concerne également un procédé qui consiste à disposer un matériau épitaxial sur un matériau germe, à disposer une zone quantique sur le matériau épitaxial, et à disposer le matériau épitaxial sur la zone quantique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)