WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018063287) CONDUCTIVE BRIDGE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/063287    International Application No.:    PCT/US2016/054668
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventors: MAJHI, Prashant; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
CLARKE, James S.; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US)
Agent: PEMBERTON, John D.; (US)
Priority Data:
Title (EN) CONDUCTIVE BRIDGE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À PONT CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Substrates, assemblies, and techniques for enabling a resistive random access memory cell are disclosed herein. For example, in some embodiments, a device may include a top electrode, a modulated interfacial region, and a bottom electrode. The thickness of the modulated interfacial region can be modulated between an on state thickness and an off state thickness and the bottom electrode is an active electrode that is a source for metal ions for the creation of a filament between the top electrode and the bottom electrode. In an example, the filament is created when the transistor is in an on state and the filament is not present when the transistor is in an off state.
(FR)Des substrats, des ensembles et des techniques pour activer une cellule de mémoire vive résistive sont divulgués. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif peut comprendre une électrode supérieure, une région interfaciale modulée et une électrode inférieure. L'épaisseur de la région interfaciale modulée peut être modulée entre une épaisseur d’état passant et une épaisseur d’état non passant, et l'électrode inférieure est une électrode active qui est une source pour les ions métalliques pour la création d'un filament entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. Dans un exemple, le filament est créé lorsque le transistor est à l’état passant et le filament n'est pas présent lorsque le transistor est à l’état non passant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)