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1. (WO2018063259) METAL RESISTOR AND SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURE HAVING A METAL RESISTOR
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Pub. No.:    WO/2018/063259    International Application No.:    PCT/US2016/054543
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 29.09.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: HAFEZ, Walid M.; (US).
OLAC-VAW, Roman W.; (US).
PARK, Joodong; (US).
LEE, Chen-Guan; (US).
JAN, Chia-Hong; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) METAL RESISTOR AND SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURE HAVING A METAL RESISTOR
(FR) RÉSISTOR MÉTALLIQUE ET ARCHITECTURES DE BORD DE GRILLE AUTO-ALIGNÉE (SAGE) AYANT UN RÉSISTOR MÉTALLIQUE
Abstract: front page image
(EN)Metal resistors and self-aligned gate edge (SAGE) architectures having metal resistors are described. In an example, a semiconductor structure includes a plurality of semiconductor fins protruding through a trench isolation region above a substrate. A first gate structure is over a first of the plurality of semiconductor fins. A second gate structure is over a second of the plurality of semiconductor fins. A gate edge isolation structure is laterally between and in contact with the first gate structure and the second gate structure. The gate edge isolation structure is on the trench isolation region and extends above an uppermost surface of the first gate structure and the second gate structure. A metal layer is on the gate edge isolation structure and is electrically isolated from the first gate structure and the second gate structure.
(FR)L'invention concerne des résistors métalliques et des architectures de bord de grille auto-alignés (SAGE) ayant des résistors métalliques. Dans un exemple, une structure semi-conductrice comprend une pluralité d'ailettes semi-conductrices faisant saillie à travers une région d'isolation de tranchée au-dessus d'un substrat. Une première structure de grille est sur une première ailette de la pluralité d'ailettes semi-conductrices. Une seconde structure de grille est sur une seconde ailette de la pluralité d'ailettes semi-conductrices. Une structure d'isolation de bord de grille est latéralement entre et en contact avec la première structure de grille et la seconde structure de grille. La structure d'isolation de bord de grille est sur la région d'isolation de tranchée et s'étend au-dessus d'une surface supérieure de la première structure de grille et de la seconde structure de grille. Une couche métallique est sur la structure d'isolation de bord de grille et est électriquement isolée de la première structure de grille et de la seconde structure de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)