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1. (WO2018063207) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
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Pub. No.:    WO/2018/063207    International Application No.:    PCT/US2016/054299
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 29.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventors: MAJHI, Prashant; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
CLARKE, James S.; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US)
Agent: PEMBERTON, John D.; (US)
Priority Data:
Title (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abstract: front page image
(EN)Substrates, assemblies, and techniques for enabling a resistive random access memory cell are disclosed herein. For example, in some embodiments, a device may include a source junction, a gate, a drain junction, a semiconductor located below the gate and between the source junction and the drain junction, and an insulator located below the semiconductor. The semiconductor can be used to tune a terminal voltage (Vt). In an example, the semiconductor is an extremely thin silicon on an insulator. In another example, the semiconductor is a fully depleted silicon on insulator or an extremely thin silicon on an insulator.
(FR)L'invention concerne des substrats, des assemblages et des techniques pour permettre une cellule de mémoire vive résistive. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif peut comprendre une jonction de source, une grille, une jonction de drain, un semi-conducteur situé au-dessous de la grille et entre la jonction de source et la jonction de drain, et un isolant situé au-dessous du semi-conducteur. Le semi-conducteur peut être utilisé pour accorder une tension de borne (Vt) Dans un exemple, le semi-conducteur est un silicium extrêmement mince sur un isolant. Dans un autre exemple, le semi-conducteur est un silicium entièrement appauvri sur un isolant ou un silicium extrêmement mince sur un isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)