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1. (WO2018063164) DIODE BASED RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
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Pub. No.:    WO/2018/063164    International Application No.:    PCT/US2016/054009
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 27.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: SHARMA, Abhishek A.; (US).
LE, Van H.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
RIOS, Rafael; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
SHIVARAMAN, Shriram; (US)
Agent: WANG, Yuke; (US).
PARKER, Wesley E.; (US).
RASKIN, Vladimir; (US).
AUYEUNG, Al; (US).
STRAUSS, Ryan N.; (US).
MOORE, Michael S.; (US).
MAKI, Nathan R.; (US).
BLAIR, Steven R.; (US).
DANSKIN, Timothy A.; (US).
MARLINK, Jeffrey S.; (US).
MEININGER, Mark M.; (US).
LEE, Katherine D.; (US).
COWGER, Graciela G.; (US).
KIRKPATRICK, Bryan D.; (US).
COFIELD, Michael A.; (US)
Priority Data:
Title (EN) DIODE BASED RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À BASE DE DIODE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments include a resistive random access memory (RRAM) memory cell which is the same as a RRAM storage cell. The RRAM storage cell has a resistive material layer and a semiconductor layer between two electrodes, where the semiconductor layer serves as an OEL. Furthermore, the semiconductor layer and an electrode of the RRAM storage cell adjacent to the semiconductor layer form a Schottky diode, which may be used as a selector for the RRAM memory cell. A word line of a RRAM array and a bit line of the RRAM array may be the two electrodes of the RRAM storage cell.
(FR)Des modes de réalisation comprennent une cellule de mémoire à mémoire vive résistive (RRAM) qui est la même qu'une cellule de stockage RRAM. La cellule de stockage à mémoire vive résistive (RRAM), a une couche de matériau résistive et une couche semi-conductrice entre deux électrodes, la couche semi-conductrice servant de couche OEL. En outre, la couche semi-conductrice et une électrode de la cellule de stockage RRAM adjacente à la couche semi-conductrice forment une diode Schottky, qui peut être utilisée en tant que sélecteur pour la cellule de mémoire RRAM. Une ligne de mots d'un réseau RRAM et une ligne de bits du réseau RRAM peuvent être les deux électrodes de la cellule de stockage RRAM.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)