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1. (WO2018063154) 3D STACKED-IN-RECESS SYSTEM IN PACKAGE
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Pub. No.:    WO/2018/063154    International Application No.:    PCT/US2016/053935
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 27.09.2016
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US).
CHEAH, Bok Eng [MY/MY]; (MY).
LIM, Min Suet [MY/MY]; (MY).
KONG, Jackson Chung Peng [MY/MY]; (MY).
LOO, Howe Yin [MY/MY]; (MY)
Inventors: CHEAH, Bok Eng; (MY).
LIM, Min Suet; (MY).
KONG, Jackson Chung Peng; (MY).
LOO, Howe Yin; (MY)
Agent: PERDOK, Monique M.; (US).
ARORA, Suneel / U.S. Reg. No. 42,267; (US).
BEEKMAN, Marvin / U.S. Reg. No. 38,377; (US).
BLACK, David W. / U.S. Reg. No. 42,331; (US).
GOULD, James R. / U.S. Reg. No. 72,086; (US).
SCHEER, Bradley W. / U.S. Reg. No. 47,059; (US).
WOO, Justin N. / U.S. Reg. No. 62,686; (US)
Priority Data:
Title (EN) 3D STACKED-IN-RECESS SYSTEM IN PACKAGE
(FR) SYSTÈME 3D EMPILÉ DANS L'ÉVIDEMENT DANS UN EMBALLAGE
Abstract: front page image
(EN)A system in package device includes a landed first die disposed on a package substrate. The landed first die includes a notch that is contoured and that opens the backside surface of the die to a ledge. A stacked die is mounted at the ledge and the two dice are each contacted by a through-silicon via (TSV). The system in package device also includes a landed subsequent die on the package substrate and a contoured notch in the landed subsequent die and the notch in the first die form a composite contoured recess into which the stacked die is seated.
(FR)Un système dans un dispositif d'emballage comprend une première puce en contact disposée sur un substrat de boîtier. Le premier dé en contact comprend une encoche qui est profilée et qui ouvre la surface arrière du dé jusqu'à un rebord. Un dé empilé est montée au niveau du rebord et les deux dés sont chacun mis en contact par un trou d'interconnexion traversant le silicium (TSV). Le système dans le dispositif d'emballage comprend également un dé subséquent en contact sur le substrat de boîtier et une encoche profilée dans le dé subséquent en contact et l'encoche dans le premier dé forme un évidement profilé composite dans lequel le dé empilé est logé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)