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1. (WO2018062318) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL, AND SEED SHAFT USED IN PRODUCTION OF SiC SINGLE CRYSTAL
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Pub. No.: WO/2018/062318 International Application No.: PCT/JP2017/035055
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 27.09.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 19/04 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
30
CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10
Inorganic compounds or compositions
36
Carbides
C CHEMISTRY; METALLURGY
30
CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Liquid-phase epitaxial-layer growth
02
using molten solvents, e.g. flux
04
the solvent being a component of the crystal composition
Applicants:
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
Inventors:
楠 一彦 KUSUNOKI, Kazuhiko; JP
関 和明 SEKI, Kazuaki; JP
大黒 寛典 DAIKOKU, Hironori; JP
加渡 幹尚 KADO, Motohisa; JP
土井 雅喜 DOI, Masayoshi; JP
Agent:
上羽 秀敏 UEBA Hidetoshi; JP
小宮山 聰 KOMIYAMA, Satoshi; JP
Priority Data:
2016-18867427.09.2016JP
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL, AND SEED SHAFT USED IN PRODUCTION OF SiC SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SiC, ET TIGE DE GERME UTILISÉE DANS LA PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SiC
(JA) SiC単結晶の製造方法及び製造装置、並びにSiC単結晶の製造に用いるシードシャフト
Abstract:
(EN) Provided is a production method with which it is possible to produce an SiC single crystal of high quality and high crystal thickness. A method for producing an SiC single crystal by a solution growth method in which the crystal growth plane (81) of a seed crystal (8) attached to the lower-end surface of a seed shaft is brought into contact with an Si-C solution (7) to grow an SiC single crystal, wherein the production method is provided with a step for heating and melting a raw material housed in a crucible (2) to produce an Si-C solution (7), and a step for bringing the crystal growth plane (81) into contact with the Si-C solution (7) and growing an SiC single crystal on the crystal growth plane (81). The seed shaft (6) has a surface layer gas permeability of 5 × 10-5m2/s or less in regions other than the region to which the seed crystal (8) is attached, at least in the region (61) between the lower end and a position 30 mm from the lower end.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production permettant de produire un monocristal de SiC de haute qualité et d'épaisseur de cristal élevée. L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de SiC au moyen d'un procédé de croissance en solution dans lequel le plan de croissance (81) du cristal d'un germe (8) fixé à la surface d'extrémité inférieure d'une tige de germe est mis en contact avec une solution (7) de Si-C pour mettre en croissance un monocristal de SiC, le procédé de production comprenant une étape consistant à chauffer et à faire fondre une matière première logée dans un creuset (2) pour produire une solution (7) de Si-C, et une étape consistant à mettre le plan de croissance (81) du cristal en contact avec la solution (7) de Si-C et à mettre en croissance un monocristal de SiC sur le plan de croissance (81) du cristal. La tige (6) de germe présente une perméabilité aux gaz de la couche de surface inférieure ou égale à 5 × 10-5m2/s dans les régions autres que la région à laquelle est fixé le germe (8), au moins dans la région (61) entre l'extrémité inférieure et une position à 30 mm de l'extrémité inférieure.
(JA) 高品質で結晶厚みの大きいSiC単結晶を製造できる製造方法を提供する。製造方法は、シードシャフトの下端面に取り付けられた種結晶(8)の結晶成長面(81)をSi-C溶液(7)に接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、坩堝(2)に収容された原料を加熱して溶融させ、Si-C溶液(7)を生成する工程と、結晶成長面(81)をSi-C溶液(7)に接触させ、結晶成長面(81)上にSiC単結晶を成長させる工程とを備える。シードシャフト(6)は、少なくとも、下端と下端から30mmの位置との間の領域(61)のうち、種結晶(8)が取り付けられる領域以外の領域において、表層のガス透過率が5×10-5/s以下である。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)