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1. (WO2018062305) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
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Pub. No.:    WO/2018/062305    International Application No.:    PCT/JP2017/035022
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 27.09.2017
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506022 (JP).
SCIVAX CORPORATION [JP/JP]; NANOBIC bldg. 7-7 Shin-Kawasaki, Saiwai-Ku, Kawasaki-Shi Kanagawa 2120032 (JP)
Inventors: NIWA Noritaka; (JP).
INAZU Tetsuhiko; (JP).
SUZAKI Yasumasa; (JP).
NAWATA Akifumi; (JP).
TANAKA Satoru; (JP)
Agent: MORISHITA Sakaki; (JP)
Priority Data:
2016-194153 30.09.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light-emitting element 10, provided with a light extraction layer (substrate 22) having a light extraction surface (main surface 22b). The light extraction layer has a plurality of cone-shaped parts 52 formed in an array shape on the light extraction surface, and a plurality of granular parts 56 formed on both the side surface sections of the cone-shaped parts 52 and flat parts located in valleys between adjacent cone-shaped parts 52. A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element 10, provided with a step for forming a mask having an array-shaped pattern on a light extraction surface, and a step for etching the light extraction layer and a mask from above the mask. The step for etching includes a first dry-etching step for performing dry-etching until all of the mask is removed, and a second dry-etching step for further dry-etching the light extraction layer after the mask has been removed.
(FR)L'invention concerne un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, pourvu d'une couche d'extraction de lumière (substrat 22) comprenant une surface d'extraction de lumière (surface principale 22b). La couche d'extraction de lumière comporte une pluralité de parties en forme de cône 52 agencées sous une forme de réseau sur la surface d'extraction de lumière, ainsi qu'une pluralité de parties granulaires 56 formées sur les deux sections de surface latérale des parties en forme de cône 52 et sur les parties plates situées dans les creux entre les parties en forme de cône adjacentes 52. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, comprenant une étape consistant à former un masque à motif en forme de réseau sur une surface d'extraction de lumière, et une étape consistant à graver la couche d'extraction de lumière et un masque depuis le dessus du masque. L'étape de gravure comprend une première étape de gravure à sec consistant à effectuer une gravure à sec jusqu'à ce que tout le masque soit éliminé, et une seconde étape de gravure à sec consistant à graver à sec plus avant la couche d'extraction de lumière après l'élimination du masque.
(JA)半導体発光素子10は、光取出面(主面22b)を有する光取出層(基板22)を備える。光取出層は、光取出面にアレイ状に形成される複数の錐形状部52と、錐形状部52の側面部および隣接する錐形状部52の谷間に位置する平坦部の双方に形成される複数の粒状部56と、を有する。半導体発光素子10の製造方法は、光取出層上にアレイ状のパターンを有するマスクを形成する工程と、マスクの上からマスクおよび光取出層をエッチングする工程とを備える。エッチングする工程は、マスクの全体が除去されるまでドライエッチングする第1ドライエッチング工程と、マスクが除去されてから光取出層をさらにドライエッチングする第2ドライエッチング工程とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)