WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018061982) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/061982    International Application No.:    PCT/JP2017/034112
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 21.09.2017
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: DEXERIALS CORPORATION [JP/JP]; Gate City Osaki, East Tower 8F, 1-11-2, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP)
Inventors: MORI, Daichi; (JP)
Agent: NOGUCHI, Nobuhiro; (JP)
Priority Data:
2016-195122 30.09.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method that enables suppression of curing retardation when a laminatedly disposed semiconductor chip group is pressed by a thermocompression bonding tool, whereby good bonding performance can be obtained. The semiconductor chip group formed of a first thermosetting adhesive disposed below a first semiconductor chip which is the uppermost layer, extending to an m-th (m is an integer not smaller than 3) thermosetting adhesive disposed below an m-th semiconductor chip which is the lowermost layer, is disposed on an interposer. The minimum melt viscosity reaching temperature of the first thermosetting adhesive is not lower than any of the minimum melt viscosity reaching temperatures of the second to m-th thermosetting adhesives. The minimum melt viscosity reaching temperature of at least one of the second to m-th thermosetting adhesives is lower than the minimum melt viscosity reaching temperature of the first thermosetting adhesive.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semiconducteur qui permet de supprimer le retard de durcissement lorsqu'un groupe de puces en semiconducteur disposées de manière laminaire est pressé par un outil de liage par thermocompression, ce qui permet d'obtenir de bonnes performances de liaison. Le groupe de puces en semiconducteur, constitué d'un premier adhésif thermodurcissable disposé au-dessous d'une première puce en semiconducteur qui est la couche supérieure, qui s'étend jusqu'à un m-ième (m est un nombre entier égal ou supérieur à 3) adhésif thermodurcissable disposé en dessous d'une m-ième puce en semiconducteur qui est la couche la plus basse, est disposé sur un élément intermédiaire. La température minimale de viscosité à l'état fondu du premier adhésif thermodurcissable n'est pas inférieure à l'une quelconque des températures minimales de viscosité à l'état fondu des deuxième aux m-ième adhésifs thermodurcissables. La température minimale de viscosité à l'état fondu d'au moins l'un des deuxième aux m-ième adhésifs thermodurcissables est inférieure à la température minimale de viscosité à l'état fondu du premier adhésif thermodurcissable.
(JA)積層配置された半導体チップ群を熱圧着ツールにて押圧した際の硬化遅延を抑制し、良好な接合性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。最上層の第1半導体チップ下に配置された第1熱硬化性接着剤から最下層の第m(mは3以上の整数)半導体チップ下に配置された第m熱硬化性接着剤までの半導体チップ群をインターポーザ上に配置する。第1熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度が、第2~第m熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度以上であり、第2~第m熱硬化性接着剤のうち少なくとも1つの熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度が、第1熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度よりも低い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)