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1. (WO2018061544) PROXIMITY EXPOSURE METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/061544    International Application No.:    PCT/JP2017/030198
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 23.08.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G03F 1/42 (2012.01)
Applicants: V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP)
Inventors: TOGASHI Takumi; (JP).
HARADA Tomonori; (JP)
Agent: EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2016-194981 30.09.2016 JP
Title (EN) PROXIMITY EXPOSURE METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'EXPOSITION DE PROXIMITÉ
(JA) プロキシミティ露光方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a proximity exposure method wherein: a mask (M), in which mask patterns (31) larger than the resolution limit of a resist (R) are formed, is prepared with respect to a resist pattern (43) having the smallest pitch (P) that is equal to or smaller than the resolution limit of the resist (R); in a first exposure step, after the mask patterns (31) are transferred to a workpiece (W) by means of exposure, the mask (M) and the workpiece (W) are relatively step-moved by the pitch (P) of the resist pattern (43); and in a second exposure step, the mask patterns (31) are transferred again to the workpiece (W) by means of exposure.
(FR)L'invention concerne un procédé d'exposition de proximité comprenant : un masque (M), dans lequel des motifs de masque (31) supérieurs à la limite de résolution d'une réserve (R) sont formés, est préparé par rapport à un motif de réserve (43) possédant le plus petit pas (P) qui est égal ou inférieur à la limite de résolution de la réserve (R) ; dans une première étape d'exposition, après que les motifs de masque (31) sont transférés vers une pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition, le masque (M) et la pièce à travailler (W) sont déplacés l'un par rapport à l'autre par le pas (P) du motif de réserve (43) ; et dans une seconde étape d'exposition, les motifs de masque (31) sont à nouveau transférés vers la pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition.
(JA)プロキシミティ露光方法は、レジスト(R)の解像限界以下である最小ピッチ(P)を有するレジストパターン(43)に対して、レジスト(R)の解像限界より大きいマスクパターン(31)が形成されるマスク(M)を準備し、第1露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に露光転写した後、マスク(M)とワーク(W)とをレジストパターン(43)のピッチ(P)分だけ相対的にステップ移動させて、第2露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に再度露光転写する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)