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1. (WO2018061436) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/061436    International Application No.:    PCT/JP2017/026889
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 25.07.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: KIKUCHI, Taku; (JP).
MICHIGAMI, Akira; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2016-187788 27.09.2016 JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, CIRCUIT FRONTAL À HAUTE FRÉQUENCE, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is an elastic wave device in which disconnection of a wiring electrode is made less likely to occur. The elastic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 2 with a main surface 2a on which first and second IDT electrodes 3, 4 are provided. The first IDT electrode 3 is provided directly on the main surface 2a of the piezoelectric substrate 2, and the second IDT electrode 4 is provided on the main surface 2a via a first dielectric layer 6. A second dielectric layer 7 is provided extending between an upper surface of the first IDT electrode 3 and an upper surface of the second IDT electrode 4. A wiring electrode 5 is provided extending from the top of the first IDT electrode 3 via the top of the second dielectric layer 7 to the upper surface of the second IDT electrode 4. In a cross section taken along a direction connecting the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 4, the angle formed between first and second side surfaces 7b, 7c of the second dielectric layer 7 and the main surface 2a of the piezoelectric substrate 2 is smaller than the angle formed between a side surface 6a of the first dielectric layer 6 and the main surface 2a of the piezoelectric substrate 2.
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques dans lequel la déconnexion d'une électrode de câblage est rendue moins susceptible de se produire. Le dispositif à ondes élastiques 1 comprend un substrat piézoélectrique 2 ayant une surface principale 2a sur laquelle sont disposées des première et seconde électrodes IDT 3, 4. La première électrode IDT 3 est disposée directement sur la surface principale 2a du substrat piézoélectrique 2, et la seconde électrode IDT 4 est disposée sur la surface principale 2a par l'intermédiaire d'une première couche diélectrique 6. Une seconde couche diélectrique 7 est disposée s'étendant entre une surface supérieure de la première électrode IDT 3 et une surface supérieure de la seconde électrode IDT 4. Une électrode de câblage 5 est disposée s'étendant à partir de la partie supérieure de la première électrode IDT 3 par l'intermédiaire de la partie supérieure de la seconde couche diélectrique 7 jusqu'à la surface supérieure de la seconde électrode IDT 4. Dans une section transversale prise le long d'une direction reliant la première électrode IDT 3 et la seconde électrode IDT 4, l'angle formé entre des première et seconde surfaces latérales 7b, 7c de la seconde couche diélectrique 7 et la surface principale 2a du substrat piézoélectrique 2 est inférieur à l'angle formé entre une surface latérale 6a de la première couche diélectrique 6 et la surface principale 2a du substrat piézoélectrique 2.
(JA)配線電極の断線が生じ難い、弾性波装置を提供する。 圧電基板2の主面2a上に、第1,第2のIDT電極3,4が設けられている、弾性波装置1。第1のIDT電極3は、圧電基板2の主面2a上に直接設けられており、第2のIDT電極4は、第1の誘電体層6を介して主面2a上に設けられている。第1のIDT電極3の上面から第2のIDT電極4の上面に至る第2の誘電体層7が設けられている。第1のIDT電極3上から、第2の誘電体層7上を通り、第2のIDT電極4の上面に至る配線電極5が設けられている。第1のIDT電極3と第2のIDT電極4とを結ぶ方向に沿う断面において、第1の誘電体層6の側面6aと圧電基板2の主面2aとのなす角度よりも、第2の誘電体層7の第1,第2の側面7b,7cと、圧電基板2の主面2aとのなす角度が小さくされている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)