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1. (WO2018061334) AVALANCHE PHOTODIODE
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Pub. No.: WO/2018/061334 International Application No.: PCT/JP2017/021652
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 12.06.2017
Chapter 2 Demand Filed: 13.12.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101
Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102
characterised by only one potential barrier or surface barrier
107
the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventors: TAKIMOTO, Takahiro; --
NATSUAKI, Kazuhiro; --
UCHIDA, Masayo; --
Agent: SAMEJIMA, Mutsumi; JP
YAMASAKI, Toshiyuki; JP
Priority Data:
2016-19207429.09.2016JP
Title (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE
(JA) アバランシェフォトダイオード
Abstract:
(EN) This avalanche photodiode includes: a first-conductivity-type semiconductor layer (2) that is formed in a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type; a first second-conductivity-type semiconductor layer (3) that is formed so as to surround the first-conductivity-type semiconductor layer (2) with a space therebetween in a plan view of the substrate; a second second-conductivity-type semiconductor layer (5) that is formed at a position deeper than that of the first-conductivity-type semiconductor layer (2) so as to be in contact with the bottom of the first-conductivity-type semiconductor layer (2); and a third second-conductivity-type semiconductor layer (6) that is formed at a position deeper than that of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) so as to be in contact with the bottom of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5). The first-conductivity-type semiconductor layer (2) and the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) form an avalanche junction. The first and third second-conductivity-type semiconductor layers (3, 6) are connected such that the semiconductor substrate (1) and the first-conductivity-type semiconductor layer (2) are electrically separated.
(FR) Une photodiode à avalanche comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) formée dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ; une première couche semi-conductrice de second type de conductivité (3) qui est formée de manière à entourer la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2), un espace étant ménagé entre celles-ci dans une vue en plan du substrat ; une deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) qui est formée à une position plus profonde que la position de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) de manière à être en contact avec le fond de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) ; et une troisième couche semi-conductrice de second type de conductivité (6) qui est formée à une position plus profonde que la position de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) de manière à être en contact avec le fond de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5). La couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) et la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) forment une jonction à avalanche. Les première et troisième couches semi-conductrices de second type de conductivité (3, 6) sont connectées de telle sorte que le substrat semi-conducteur (1) et la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) sont électriquement séparés.
(JA) アバランシェフォトダイオードは、第1導電型の半導体基板(1)内に形成された第1導電型半導体層(2)と、基板平面視において第1導電型半導体層(2)を間隔をあけて囲むように形成された第1の第2導電型半導体層(3)と、第1導電型半導体層(2)よりも深い位置に、第1導電型半導体層(2)の底部に接するように形成された第2の第2導電型半導体層(5)と、第2の第2導電型半導体層(5)よりも深い位置に、第2の第2導電型半導体層(5)の底部に接するように形成された第3の第2導電型半導体層(6)を有する。第1導電型半導体層(2)と第2の第2導電型半導体層(5)とでアバランシェ接合を形成する。半導体基板(1)と第1導電型半導体層(2)とが電気的に分離されるように第1,第3の第2導電型半導体層(3,6)を接続する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)