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1. (WO2018060126) PROJECTION LITHOGRAPHY SYSTEM WITH LIQUID LAYER FOR WAVEFRONT CORRECTION
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Pub. No.: WO/2018/060126 International Application No.: PCT/EP2017/074197
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 25.09.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Exposure; Apparatus therefor
Applicants:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Inventors:
BAUER, Markus; DE
Agent:
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
Priority Data:
10 2016 218 744.928.09.2016DE
Title (EN) PROJECTION LITHOGRAPHY SYSTEM WITH LIQUID LAYER FOR WAVEFRONT CORRECTION
(FR) DISPOSITIF DE LITHOGRAPHIE PAR PROJECTION COMPORTANT UNE COUCHE DE LIQUIDE POUR LA CORRECTION DE FRONT D’ONDE
(DE) PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE MIT FLUESSIGKEITSSCHICHT ZUR WELLENFRONTKORREKTUR
Abstract:
(EN) The invention relates to a projection lithography system (1) for semiconductor lithography and comprises, inter alia, a projection lens (2) for transferring a reticle (3) onto a wafer (15), a liquid layer (51), which is located in the path of the optical radiation (7) used for the transfer, and means (4) for producing a specific temperature distribution in the liquid layer (51). The aforementioned means (4) for producing a specific temperature distribution are suitable for introducing electromagnetic heat radiation into the liquid layer and means (5) are also provided for producing a flow profile in the liquid layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de lithographie par projection (1) pour la lithographie de semi-conducteurs, comprenant, entre autres, un objectif de projection (2) pour la reproduction d'un réticule (3) sur une plaquette (15) ainsi qu'une couche de liquide (51) qui est disposée dans la trajectoire du rayonnement optique (7) utilisé pour la reproduction, ainsi que des moyens (4) destinés à produire une distribution de température déterminée dans la couche de liquide (51). Lesdits moyens (4) destinés à produire une distribution de température déterminée sont conçus pour introduire un rayonnement de chauffage électromagnétique dans la couche de liquide et des moyens (5) sont par ailleurs prévus pour produire un profil d'écoulement dans la couche de liquide.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie und umfasst unter anderem ein Projektionsobjektiv (2) zur Abbildung eines Reticles (3) auf einen Wafer (15) sowie eine Flüssigkeitsschicht (51), welche im Weg der zur Abbildung verwendeten optischen Strahlung (7) angeordnet ist sowie Mitteln (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (51). Dabei sind die genannten Mittel (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung geeignet, elektromagnetische Heizstrahlung in die Flüssigkeitsschicht einzubringen und es sind zusätzlich Mittel (5) zur Erzeugung eines Strömungsprofiles in der Flüssigkeitsschicht vorhanden.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)