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1. (WO2018059108) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
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Pub. No.:    WO/2018/059108    International Application No.:    PCT/CN2017/095130
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 31.07.2017
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventors: ZHU, Huilong; (US)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Priority Data:
201610872541.2 30.09.2016 CN
201710530297.6 30.06.2017 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising same. The semiconductor device comprises: a substrate (1001); a first device and a second device formed on the substrate (1001), wherein the first device and second device respectively comprise a first source/drain layer (1031), a trench layer (1003), and a second source/drain layer (1005) sequentially stacked on the substrate (1001); and a gate stack formed around a periphery of the trench layer (1003), wherein the trench layer (1003p) of the first device and the trench layer (1003n) of the second device are substantially coplanar, and the second source/drain layer (1005) of the first device has a different stress than the second source/drain layer of the second device.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, son procédé de fabrication, et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat (1001); un premier dispositif et un second dispositif formés sur le substrat (1001), le premier dispositif et le second dispositif comprenant respectivement une première couche de source/drain (1031), une couche de tranchée (1003), et une seconde couche de source/drain (1005) empilées séquentiellement sur le substrat (1001); et un empilement de grille formé autour d'une périphérie de la couche de tranchée (1003), la couche de tranchée (1003p) du premier dispositif et la couche de tranchée (1003n) du second dispositif sont sensiblement coplanaires, et la seconde couche de source/drain (1005) du premier dispositif a une contrainte différente de celle de la seconde couche de source/drain du second dispositif.
(ZH)一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括:衬底(1001);在衬底(1001)上形成的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件分别包括:依次叠置在衬底(1001)上的第一源/漏层(1031)、沟道层(1003)和第二源/漏层(1005);以及绕沟道层(1003)的外周形成的栅堆叠,其中,第一器件的沟道层(1003p)与第二器件的沟道层(1003n)基本共面,且第一器件和第二器件各自的第二源/漏层(1005)中带有不同的应力。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)