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1. (WO2018058347) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF TUNGSTEN USING METHOD AND COMPOSITION CONTAINING QUATERNARY PHOSPHONIUM COMPOUNDS
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Pub. No.:    WO/2018/058347    International Application No.:    PCT/CN2016/100492
Publication Date: 05.04.2018 International Filing Date: 28.09.2016
IPC:
C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road Newark, Delaware 19713 (US).
HO, Lin-Chen [CN/CN]; (CN) (SC only).
TSAI, Wei-Wen [US/CN]; (CN) (SC only).
LEE, Cheng-Ping [CN/CN]; (CN) (SC only)
Inventors: HO, Lin-Chen; (CN).
TSAI, Wei-Wen; (CN).
LEE, Cheng-Ping; (CN)
Agent: SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Priority Data:
Title (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF TUNGSTEN USING METHOD AND COMPOSITION CONTAINING QUATERNARY PHOSPHONIUM COMPOUNDS
(FR) POLISSAGE MÉCANOCHIMIQUE DU TUNGSTÈNE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ ET D'UNE COMPOSITION FAISANT APPEL À DES COMPOSÉS DE PHOSPHONIUM QUATERNAIRE
Abstract: front page image
(EN)A process and composition are disclosed for polishing tungsten containing select quaternary phosphonium compounds at low concentrations to at least reduce corrosion rate of tungsten. The process and composition include providing a substrate containing tungsten; providing a stable polishing composition, containing, as initial components: water; an oxidizing agent; select quaternary phosphonium compounds at low concentrations to at least reduce corrosion rate; a dicarboxylic acid, a source of iron ions; a colloidal silica abrasive; and, optionally a pH adjusting agent; providing a chemical mechanical polishing pad, having a polishing surface; creating dynamic contact at an interface between the polishing pad and the substrate; and dispensing the polishing composition onto the polishing surface at or near the interface between the polishing pad and the substrate; wherein some of the tungsten is polished away from the substrate, and corrosion rate of tungsten is reduced.
(FR)La présente invention concerne un procédé et une composition permettant de polir le tungstène, la composition contenant des composés de phosphonium quaternaire sélectionnés à des concentrations basses pour au moins réduire la vitesse de corrosion du tungstène. Le procédé comprend la mise à disposition d'un substrat contenant du tungstène; la mise à disposition d'une composition stable de polissage contenant, en tant que composants initiaux : de l'eau; un agent oxydant; des composés de phosphonium quaternaire sélectionnés à des concentrations basses pour au moins réduire la vitesse de corrosion; un acide dicarboxylique, une source d'ions de fer; un abrasif à base de silice colloïdale; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH; la mise à disposition d'un tampon de polissage mécanochimique ayant une surface de polissage; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage et le substrat; et l'application de la composition de polissage sur la surface de polissage au niveau ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage et le substrat; une partie du tungstène étant retirée du substrat par polissage et la vitesse de corrosion du tungstène étant réduite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)