WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018057297) FIN EPITAXY WITH LATTICE STRAIN RELAXATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/057297 International Application No.: PCT/US2017/050356
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 06.09.2017
IPC:
H01L 29/66 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventors: GOKTEPELI, Sinan; US
Agent: HALLMAN, Jonathan W.; US
Priority Data:
15/271,12020.09.2016US
Title (EN) FIN EPITAXY WITH LATTICE STRAIN RELAXATION
(FR) ÉPITAXIE D'AILETTE AVEC RELAXATION DES DÉFORMATIONS DE RÉSEAU
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor having a first lattice constant is deposited on an exposed sidewall of a relatively small group IV semiconductor substrate fin having a second lattice constant that does not equal the first lattice constant to form a semiconductor fin without any crystal defects resulting from a lattice mismatch between the first lattice constant and the second lattice constant.
(FR) Selon l'invention, un semi-conducteur ayant une première constante de réseau est déposé sur une paroi latérale apparente d'une relativement petite ailette de substrat semi-conducteur du groupe IV ayant une seconde constante de réseau qui n'est pas égale à la première constante de réseau pour former une ailette de semi-conducteur sans aucun défaut cristallin résultant d'une incompatibilité de réseau entre la première constante de réseau et la seconde constante de réseau.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)