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1. (WO2018057228) METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY USING A MULTI-CELL STORAGE CELL GROUP TO PROVIDE ERROR LOCATION INFORMATION FOR RETENTION ERRORS
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Pub. No.:    WO/2018/057228    International Application No.:    PCT/US2017/048514
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 24.08.2017
IPC:
G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 29/52 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: WU, Wei; (US).
KHAN, Jawad B.; (US).
TRIKA, Sanjeev N.; (US).
ZOU, Yi; (US)
Agent: VICTOR, David W.; (US)
Priority Data:
15/276,588 26.09.2016 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY USING A MULTI-CELL STORAGE CELL GROUP TO PROVIDE ERROR LOCATION INFORMATION FOR RETENTION ERRORS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR PROGRAMMER UNE MÉMOIRE NON VOLATILE À L'AIDE D'UN GROUPE DE CELLULES DE STOCKAGE À CELLULES MULTIPLES POUR FOURNIR DES INFORMATIONS D'EMPLACEMENT D'ERREUR POUR DES ERREURS DE RÉTENTION
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method and apparatus for programming non-volatile memory using a multi-cell storage cell group to provide error location information for retention errors. Each storage cell in the non-volatile memory is programmed with threshold voltage levels and each storage cell is programmed from bits from a plurality of pages. A memory controller organizes the storage cells into storage cell groups, each storing m bits of information programmed with the threshold voltage levels. A determination is made of one threshold voltage level to use for each of the storage cells in the storage cell group to program a selected k bits in the storage cell group with threshold voltage levels defining one of a plurality of valid states. The threshold voltage levels for at least one of the storage cells of the storage cell group in any two valid states differ by at least two threshold voltage levels.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour programmer une mémoire non volatile à l'aide d'un groupe de cellules de stockage à cellules multiples pour fournir des informations d'emplacement d'erreur pour des erreurs de rétention. Chaque cellule de stockage dans la mémoire non volatile est programmée avec des informations à l'aide de niveaux de tension de seuil et chaque cellule de stockage est programmée à partir de bits provenant d'une pluralité de pages. Un contrôleur de mémoire organise les cellules de stockage en groupes de cellules de stockage, chacune stockant m bits d'informations programmés avec les niveaux de tension de seuil. Une détermination est faite d'un niveau de tension de seuil à utiliser pour chacune des cellules de stockage dans le groupe de cellules de stockage pour programmer un k bits sélectionné dans le groupe de cellules de stockage avec des niveaux de tension de seuil définissant un état parmi une pluralité d'états valides. Les niveaux de tension de seuil pour au moins une des cellules de stockage du groupe de cellules de stockage dans deux états valides quelconques diffèrent d'au moins deux niveaux de tension de seuil.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)