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1. (WO2018057132) APPARATUSES AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT LAYOUT
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Pub. No.:    WO/2018/057132    International Application No.:    PCT/US2017/045744
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 07.08.2017
IPC:
H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716 (US)
Inventors: KONDO, Harunobu; (JP).
ECHIGOYA, Kenichi; (JP)
Agent: DORSEY & WHITNEY LLP; 701 5th Ave Suite 6100 Seattle, Washington 98104 (US).
ENG, Kimton; (US).
HEGSTROM, Brandon; (US).
ITO, Mika; (US).
MAKINO, Kyoko; (US).
MEIKLEJOHN, Paul T.; (US).
NYRE, Erik; (US).
ORME, Nathan; (US).
QUECAN, Andrew; (US).
SPAITH, Jennifer; (US).
STERN, Ronald; (US).
WETZEL, Elen; (US).
ANDKEN, Kerrylee; (US)
Priority Data:
15/276,365 26.09.2016 US
Title (EN) APPARATUSES AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT LAYOUT
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS DE TOPOLOGIE DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Apparatuses including compensation capacitors are described. An example apparatus includes: first, second and third capacitors arranged such that the second capacitor is sandwiched between the first and third capacitors, each of the first, second and third capacitors including first and second electrodes. The first electrodes of the first, second and third capacitors are electrically coupled in common to one another. The second electrodes of the first and third capacitors are electrically coupled in common to each other. The second electrode of the second capacitor is electrically insulated from the second electrodes of the first and third capacitors.
(FR)L'invention concerne des appareils comprenant des condensateurs de compensation. Un appareil donné à titre d'exemple comprend : des premier, deuxième et troisième condensateurs agencés de telle sorte que le deuxième condensateur est pris en sandwich entre les premier et troisième condensateurs, chacun des premier, deuxième et troisième condensateurs comprenant des première et seconde électrodes. Les premières électrodes des premier, deuxième et troisième condensateurs sont couplées électriquement en commun les unes aux autres. Les secondes électrodes des premier et troisième condensateurs sont couplées électriquement en commun l'une à l'autre. La seconde électrode du deuxième condensateur est électriquement isolée des secondes électrodes des premier et troisième condensateurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)