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1. (WO2018057040) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING
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Pub. No.:    WO/2018/057040    International Application No.:    PCT/US2016/053818
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 26.09.2016
IPC:
H01L 23/538 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Applicants: BROWN, Andrew J. [US/US]; (US).
CHEN, Chi-Mon [US/US]; (US).
MAY, Robert Alan [US/US]; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E. [US/US]; (US).
JEN, Wei-Lun Kane [US/US]; (US)
Inventors: BROWN, Andrew J.; (US).
CHEN, Chi-Mon; (US).
MAY, Robert Alan; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E.; (US).
JEN, Wei-Lun Kane; (US)
Agent: PERDOK, Monique M.; (US).
MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858; (US).
SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; (US).
GOULD, James R., Reg. No. 72,086; (US).
WOO, Justin N., Reg. No. 62,686; (US).
BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; (US).
BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; (US).
ARORA, Suneel, Reg. No. 42,267; (US).
BLACK, David W., Reg. No. 42,331; (US)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Various embodiments disclosed relate to semiconductor device and method of making the same using functional silanes. In various embodiments, the present invention provides a semiconductor device including a silicon die component having a first silica surface. The semiconductor device includes a dielectric layer having a second surface generally facing the first silica surface. The semiconductor device includes an interface defined between the first surface and the second surface. The semiconductor device also includes a silane based adhesion promoter layer disposed within the junction and bonded to at least one of the first silica surface and the dielectric layer second surface.
(FR)Divers modes de réalisation de l'invention concernent un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de celui-ci à l'aide de silanes fonctionnels. Dans divers modes de réalisation, la présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un composant de puce au silicium ayant une première surface de silice. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche diélectrique ayant une seconde surface faisant généralement face à la première surface de silice. Le dispositif à semi-conducteur comprend une interface définie entre la première surface et la seconde surface. Le dispositif à semi-conducteur comprend également une couche de promoteur d'adhérence à base de silane disposée à l'intérieur de la jonction et liée à la première surface de silice et/ou à la seconde surface de couche diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)