WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018057023) QUANTUM DOT QUBITS WITH III-V COMPOUNDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/057023    International Application No.:    PCT/US2016/053621
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 25.09.2016
IPC:
H01L 29/775 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventors: PILLARISETTY, Ravi; (US).
ROBERTS, Jeanette M.; (US).
THOMAS, Nicole K.; (US).
GEORGE, Hubert C.; (US).
CLARKE, James S.; (US)
Agent: HARTMANN, Natalya; (US)
Priority Data:
Title (EN) QUANTUM DOT QUBITS WITH III-V COMPOUNDS
(FR) BITS QUANTIQUES À POINTS QUANTIQUES AVEC DES COMPOSÉS III-V
Abstract: front page image
(EN)Described herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods of operation thereof. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include a base, a fin extending away from the base and including a quantum well layer made from III-V semiconductors, and one or more gates disposed on the fin. Using III-V semiconductors to form a quantum well layer may be advantageous because of stronger confinement of charge carriers in a quantum well and improved charge carrier mobility. Methods for fabricating such devices are also disclosed.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des dispositifs et des procédés informatiques et procédé de fonctionnement associés. Par exemple, selon certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre : une base ; une ailette s’étendant à l’extérieur à partir de la base et comprenant une couche de puits quantique fait de semi-conducteur III-V, et une ou plusieurs grilles placées sur l'ailette. L'utilisation de semi-conducteurs III-V pour former une couche de puits quantique peut être avantageuse en raison d'un confinement plus fort de porteurs de charge dans un puits quantique et d'une mobilité de porteuse de charge améliorée. Des procédés pour la fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)