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1. (WO2018057012) THRESHOLD SWITCHING SELECTOR BASED MEMORY
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Pub. No.:    WO/2018/057012    International Application No.:    PCT/US2016/053585
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 23.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: SHARMA, Abhishek A.; (US).
LE, Van H.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
RIOS, Rafael; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
SHIVARAMAN, Shriram; (US)
Agent: WANG, Yuke; (US).
PARKER, Wesley E.; (US).
RASKIN, Vladimir; (US).
AUYEUNG, Al; (US).
STRAUSS, Ryan N.; (US).
MOORE, Michael S.; (US).
MAKI, Nathan R.; (US).
BLAIR, Steven R.; (US).
DANSKIN, Timothy A.; (US).
MARLINK, Jeffrey S.; (US).
MEININGER, Mark M.; (US).
LEE, Katherine D.; (US).
COWGER, Graciela G.; (US).
KIRKPATRICK, Bryan D.; (US).
COFIELD, Michael A.; (US)
Priority Data:
Title (EN) THRESHOLD SWITCHING SELECTOR BASED MEMORY
(FR) MÉMOIRE BASÉE SUR UN SÉLECTEUR DE COMMUTATION DE SEUIL
Abstract: front page image
(EN)Embodiments include a threshold switching selector. The threshold switching selector may include a threshold switching layer and a semiconductor layer between two electrodes. A memory cell may include the threshold switching selector coupled to a storage cell. The storage cell may be a PCRAM storage cell, a MRAM storage cell, or a RRAM storage cell. In addition, a RRAM device may include a RRAM storage cell, coupled to a threshold switching selector, where the threshold switching selector may include a threshold switching layer and a semiconductor layer, and the semiconductor layer of the threshold switching selector may be shared with the semiconductor layer of the RRAM storage cell.
(FR)Des modes de réalisation concernent un sélecteur de commutation de seuil. Le sélecteur de commutation de seuil peut comprendre une couche de commutation de seuil et une couche semi-conductrice entre deux électrodes. Une cellule de mémoire peut comprendre le sélecteur de commutation de seuil couplé à une cellule de stockage. La cellule de stockage peut être une cellule de stockage PCRAM, une cellule de stockage MRAM, ou une cellule de stockage RRAM. De plus, un dispositif RRAM peut comprendre une cellule de stockage RRAM, couplée à un sélecteur de commutation de seuil, le sélecteur de commutation de seuil pouvant comprendre une couche de commutation de seuil et une couche semi-conductrice, et la couche semi-conductrice du sélecteur de commutation de seuil peut être partagée avec la couche semi-conductrice de la cellule de stockage RRAM.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)