WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018057006) SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING A MODULAR SIDE RADIATING WAVEGUIDE LAUNCHER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/057006 International Application No.: PCT/US2016/053491
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 23.09.2016
IPC:
H01P 5/107 (2006.01) ,H01P 3/00 (2006.01) ,H01L 23/66 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventors: DOGIAMIS, Georgios; US
OSTER, Sasha; US
SWAN, Johanna; US
LIFF, Shawna; US
ELSHERBINI, Adel; US
KAMGAING, Telesphor; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
Agent: CZARNECKI, Michael S.; US
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING A MODULAR SIDE RADIATING WAVEGUIDE LAUNCHER
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN LANCEUR DE GUIDE D'ONDES À RAYONNEMENT LATÉRAL MODULAIRE
Abstract: front page image
(EN) Integration of a side-radiating waveguide launcher system into a semiconductor package beneficially permits the coupling of a waveguide directly to the semiconductor package. Included are a first conductive member and a second conductive member separated by a dielectric material. Also included is a conductive structure, such as a plurality of vias, that conductively couples the first conductive member and the second conductive member. Together, the first conductive member, the second conductive member, and the conductive structure form an electrically conductive side-radiating waveguide launcher enclosing shaped space within the dielectric material. The shaped space includes a narrow first end and a wide second end. An RF excitation element is disposed proximate the first end and a waveguide may be operably coupled proximate the second end of the shaped space.
(FR) L'intégration d'un système de lancement de guide d'ondes à rayonnement latéral dans un boîtier de semi-conducteur permet avantageusement le couplage d'un guide d'ondes directement au boîtier de semi-conducteur. L'invention concerne un premier élément conducteur et un second élément conducteur séparés par un matériau diélectrique. L'invention concerne également une structure conductrice, telle qu'une pluralité de trous d'interconnexion, qui couple de manière conductrice le premier élément conducteur et le second élément conducteur. Ensemble, le premier élément conducteur, le second élément conducteur et la structure conductrice forment un lanceur de guide d'ondes à rayonnement latéral électro-conducteur enfermant un espace formé à l'intérieur du matériau diélectrique. L'espace formé comprend une première extrémité étroite et une seconde extrémité large. Un élément d'excitation RF est disposé à proximité de la première extrémité et un guide d'ondes peut être couplé de manière fonctionnelle à proximité de la seconde extrémité de l'espace formé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)