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1. (WO2018056255) IMAGING PANEL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Pub. No.: WO/2018/056255 International Application No.: PCT/JP2017/033682
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 19.09.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H04N 5/32 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventors: MISAKI, Katsunori; --
Agent: KAWAKAMI Keiko; JP
MATSUYAMA Takao; JP
Priority Data:
2016-18422721.09.2016JP
Title (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN) The present invention provides: an X-ray imaging panel which is capable of suppressing off-leakage current; and a method for producing this X-ray imaging panel. An imaging panel according to the present invention is provided with a photodiode which comprises a lower electrode, a photoelectric conversion layer 15 that is arranged on the lower electrode, and an upper electrode 14b that is arranged on the photoelectric conversion layer 15. The photoelectric conversion layer 15 comprises a first amorphous semiconductor layer 151, an intrinsic amorphous semiconductor layer 152 and a second amorphous semiconductor layer 153. The photoelectric conversion layer 15 has at least a projection part 15a wherein an upper end part 1531 of the second amorphous semiconductor layer 153 protrudes beyond an upper end part 1521 of the intrinsic amorphous semiconductor layer 152 toward the outside of the photoelectric conversion layer 15.
(FR) La présente invention concerne : un panneau d'imagerie à rayons X qui est capable de supprimer un courant de fuite; et un procédé de production de ce panneau d'imagerie à rayons X. Un panneau d'imagerie selon la présente invention est équipé d'une photodiode qui comprend une électrode inférieure, une couche de conversion photoélectrique 15 qui est disposée sur l'électrode inférieure, et une électrode supérieure 14b qui est disposée sur la couche de conversion photoélectrique 15. La couche de conversion photoélectrique 15 comprend une première couche semi-conductrice amorphe 151, une couche semi-conductrice amorphe intrinsèque 152 et une seconde couche semi-conductrice amorphe 153. La couche de conversion photoélectrique 15 a au moins une partie en saillie 15a, une partie d'extrémité supérieure 1531 de la seconde couche semi-conductrice amorphe 153 faisant saillie au-delà d'une partie d'extrémité supérieure 1521 de la couche semi-conductrice amorphe intrinsèque 152 vers l'extérieur de la couche de conversion photoélectrique 15.
(JA) オフリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネルは、下部電極と、下部電極の上に設けられた光電変換層15と、光電変換層15の上に設けられた上部電極14bとを含むフォトダイオードを備える。光電変換層15は、第1非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、及び第2非晶質半導体層153とを含む。光電変換層15は、少なくとも第2非晶質半導体層153の上端部1531が、真性非晶質半導体層152の上端部1521よりも光電変換層15の外側に突出した突起部15aを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)