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1. (WO2018055986) SURFACE TREATMENT COMPOSITION, SURFACE TREATMENT METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/055986    International Application No.:    PCT/JP2017/030789
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 28.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), C11D 7/22 (2006.01), C11D 7/26 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 7/34 (2006.01), C23G 1/10 (2006.01)
Applicants: FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP)
Inventors: CHEN, Jingzhi; (TW)
Agent: HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Priority Data:
2016-185775 23.09.2016 JP
Title (EN) SURFACE TREATMENT COMPOSITION, SURFACE TREATMENT METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) COMPOSITION DE TRAITEMENT DE SURFACE, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 表面処理組成物、ならびにこれを用いた表面処理方法および半導体基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a means for suppressing the dissolution rate of tungsten while sufficiently removing impurities remaining on the surface of an object which is to be polished with a polishing agent and which comprises a layer containing at least tungsten and comprises tetraethyl orthosilicate or silicon nitride. [Solution] This surface treatment composition contains a polymer compound having a sulfonic acid (sulfonate) group, at least one compound selected from amino acids and polyols, and a dispersion medium, and is used to treat the surface of the object which is to be polished with a polishing agent and which comprises a layer containing at least tungsten and comprises tetraethyl orthosilicate or silicon nitride.
(FR)[Problème] Fournir un moyen pour supprimer la vitesse de dissolution du tungstène tout en éliminant suffisamment les impuretés restant sur la surface d'un objet qui doit être poli avec un agent de polissage et qui comprend une couche contenant au moins du tungstène et comprenant de l'orthosilicate de tétraéthyle ou du nitrure de silicium. [Solution] Selon l'invention porte sur une composition de traitement de surface qui contient un composé polymère ayant un groupe acide sulfonique (sulfonate), au moins un composé choisi parmi les acides aminés et les polyols, et un milieu de dispersion, et est utilisé pour traiter la surface de l'objet à polir avec un agent de polissage et qui comprend une couche contenant au moins du tungstène et comprenant de l'orthosilicate de tétraéthyle ou du nitrure de silicium.
(JA)【課題】少なくともタングステンを含む層、並びにオルトケイ酸テトラエチルまたは窒化ケイ素を有する研磨済研磨対象物の表面に残留する不純物を十分に除去させながら、タングステンの溶解速度を抑制する手段を提供する。 【解決手段】スルホン酸(塩)基を有する高分子化合物と、アミノ酸およびポリオールから選ばれる少なくとも1種の化合物と、分散媒とを含有し、少なくともタングステンを含む層、並びにオルトケイ酸テトラエチルまたは窒化ケイ素を有する研磨済研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)