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1. (WO2018055692) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.:    WO/2018/055692    International Application No.:    PCT/JP2016/077817
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 21.09.2016
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventors: SHIRAI, Kaito; (JP).
TAKEKIDA, Hideto; (JP).
IZUMI, Tatsuo; (JP).
SHAMOTO, Reiko; (JP).
KANEMURA, Takahisa; (JP).
KONDO, Shigeo; (JP)
Agent: HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device according to this embodiment includes a laminate body and a columnar part. The laminate body includes: a first laminate part including a plurality of electrode layers laminated in a first direction with insulating bodies therebetween; a second laminate part including a plurality of electrode layers laminated in the first direction with insulating bodies therebetween, the second laminate part being disposed separated from the first laminate part in the first direction; and a linking part provided between the first laminate part and the second laminate part, the linking part including a high dielectric layer having higher relative permittivity than the insulating bodies. The columnar part includes: a first portion provided in the first laminate part, extending in the first direction of the laminate body; a second portion provided in the second laminate part, extending in the first direction; and an intermediate part provided in the linking part, connecting the first portion and the second portion.
(FR)Le dispositif à semi-conducteur selon ce mode de réalisation comprend un corps stratifié, et une partie colonnaire. Le corps stratifié comprend : une première partie stratifiée comprenant une pluralité de couches d'électrode stratifiées dans une première direction avec des corps isolants entre elles; une seconde partie stratifiée comprenant une pluralité de couches d'électrode stratifiées dans la première direction avec des corps isolants entre elles, la seconde partie stratifié étant disposée séparée de la première partie de stratifié dans la première direction; et une partie de liaison disposée entre la première partie stratifié et la seconde partie stratifié, la partie de liaison comprenant une couche diélectrique élevée ayant une permittivité relative supérieure à celle des corps isolants. La partie en colonne comprend : une première portion disposée dans la première partie stratifié, s'étendant dans la première direction du corps stratifié; une seconde portion disposée dans la seconde partie stratifié, s'étendant dans la première direction; et une partie intermédiaire disposée dans la partie de liaison, reliant la première portion et la seconde portion.
(JA)実施形態によれば、半導体装置は、積層体と、柱状部と、を含む。前記積層体は、絶縁体を介して第1方向に積層された複数の電極層を含む第1積層部と、絶縁体を介して第1方向に積層された複数の電極層を含み、前記第1積層部に対して前記第1方向に離間して配置された第2積層部と、前記第1積層部と、前記第2積層部と、の間に設けられ、前記絶縁体よりも高い比誘電率を有する高誘電体層、を含む連結部と、を含む。前記柱状部は、前記第1積層部内に設けられ、前記積層体の第1方向に延びる第1部分と、前記第2積層部内に設けられ、前記第1方向に延びる第2部分と、前記連結部内に設けられ、前記第1部分と、前記第2部分と、に接続する中間部と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)