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1. (WO2018055674) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM
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Pub. No.:    WO/2018/055674    International Application No.:    PCT/JP2016/077698
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 20.09.2016
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventors: HORITA, Hideki; (JP).
TERASAKI, Masato; (JP)
Agent: PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052 (JP)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abstract: front page image
(EN)The present invention suppresses adverse effects to a base due to a reaction gas. This method for manufacturing a semiconductor device has: a step for forming an amorphous seed layer on a substrate by supplying the substrate with a gaseous starting material; a step for polycrystallizing the seed layer by heat-treating the seed layer; and a step for forming an oxide film on the polycrystallized seed layer, and oxidizing the polycrystallized seed layer by performing predetermined times a cycle, in which a step for supplying the substrate with the gaseous starting material, and a step for supplying the substrate with an oxygen-containing gas and a hydrogen-containing gas are performed non-simultaneously.
(FR)La présente invention supprime les effets néfastes sur une base due à un gaz de réaction. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : une étape consistant à former une couche de germe amorphe sur un substrat en fournissant le substrat à un matériau de départ gazeux; une étape de polycristallisation de la couche de germe par traitement thermique de la couche de germe; et une étape de formation d'un film d'oxyde sur la couche de germe polycristallisée, et une oxydation de la couche de germe polycristallisée par temps prédéterminés en cycle , dans lequel une étape consistant à fournir au substrat un matériau de départ gazeux, et une étape consistant à fournir au substrat un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant de l'hydrogène sont effectués de manière non simultanée.
(JA)反応ガスによる下地への悪影響を抑制する。 基板に対して原料ガスを供給することで、基板上にアモルファス状態のシード層を形成する工程と、シード層を熱処理することで、シード層を多結晶化させる工程と、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、多結晶化させたシード層上に酸化膜を形成するとともに、多結晶化させたシード層を酸化する工程と、を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)